[发明专利]EL显示装置的制造方法

权利要求书

1.一种显示装置，包括：

像素；

电连接到所述像素的源极布线；

电连接到所述像素的栅极布线；以及

在所述源极布线的侧面上的端子连接部，所述端子连接部包括：

第一导电层；

在所述第一导电层上的第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上的第一半导体层；

在所述第一半导体层上的第二半导体层；

在所述第二半导体层上的第二导电层；

在所述第二导电层上的第二绝缘层；和

在所述第二绝缘层上的第三导电层，

其中，所述第二绝缘层包括与所述第一半导体层的顶面的至少一部分接触的第一区域，

其中，所述第三导电层包括与所述第一导电层的顶面的至少一部分接触的第二区域，

其中，所述第三导电层包括与所述第二导电层的顶面的至少一部分接触的第三区域，

其中，所述第三导电层包括与所述第二绝缘层的侧面的至少一部分接触的第四区域，

其中，所述第一半导体层包括具有第一厚度的第五区域，

其中，所述第五区域和所述第二半导体层互相重叠，

其中，所述第一半导体层包括具有第二厚度的第六区域，

其中，所述第六区域和所述第二半导体层没有相互重叠，并且

其中，所述第一厚度大于所述第二厚度。

2.一种显示装置，包括：

像素；

电连接到所述像素的源极布线；

电连接到所述像素的栅极布线；以及

在所述源极布线的侧面上的端子连接部，所述端子连接部包括：

第一导电层；

在所述第一导电层上的第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上的第一半导体层；

在所述第一半导体层上的第二半导体层；

在所述第二半导体层上的第二导电层；

在所述第二导电层上的第二绝缘层；和

在所述第二导电层上的第三导电层，

其中，所述第三导电层包括与所述第一半导体层的顶面的至少一部分接触的第一区域，

其中，所述第三导电层包括与所述第一导电层的顶面的至少一部分接触的第二区域，

其中，所述第三导电层包括与所述第二导电层的顶面的至少一部分接触的第三区域，

其中，所述第三导电层包括与所述第二绝缘层的侧面的至少一部分接触的第四区域，

其中，所述第一半导体层包括具有第一厚度的第五区域，

其中，所述第五区域和所述第二半导体层互相重叠，

其中，所述第一半导体层包括具有第二厚度的第六区域，

其中，所述第六区域和所述第二半导体层没有相互重叠，

其中，所述第一厚度大于所述第二厚度，并且

其中，所述第二区域和所述第六区域之间的距离小于所述第二区域和所述第五区域之间的距离。

3.如权利要求1或者2所述的显示装置，其中，所述第二导电层与所述第二半导体层的整个顶面接触。

4.如权利要求1或者2所述的显示装置，

其中，所述像素包括晶体管和像素电极，

其中，所述第一导电层和所述晶体管的栅电极由同一层形成，

其中，所述第一半导体层和包括所述晶体管的沟道形成区域的第三半导体层由同一层形成，

其中，所述第二半导体层和包括所述晶体管的源极区域和漏极区域中之一的第四半导体层由同一层形成，

其中，所述第二导电层和所述晶体管的源电极和漏电极中之一由同一层形成，并且

其中，所述第三导电层和所述像素电极由同一层形成。

5.如权利要求3所述的显示装置，

其中，所述像素包括晶体管和像素电极，

其中，所述第一导电层和所述晶体管的栅电极由同一层形成，

其中，所述第一半导体层和包括所述晶体管的沟道形成区域的第三半导体层由同一层形成，

其中，所述第二半导体层和包括所述晶体管的源极区域和漏极区域中之一的第四半导体层由同一层形成，

其中，所述第二导电层和所述晶体管的源电极和漏电极中之一由同一层形成，并且

其中，所述第三导电层和所述像素电极由同一层形成。