[发明专利]进阶修正方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种图形修正方法，且特别是关于一种进阶修正方法。

背景技术

在集成电路(Integrated Circuit，IC)蓬勃发展的今日，元件缩小化与集成化是必然的趋势，也是各界积极发展的重要课题，而在整个半导体工艺中，光刻可以说是最举足轻重的步骤之一，因此掩模图案转移(transfer)至晶圆(wafer)上的精确性，便占有非常重要的地位。若图案的转移不正确，则会影响芯片上的关键尺寸(Critical Dimension，CD)的容忍度(tolerance)，降低曝光的分辨率。

随着集成度(integration)的逐渐提高，元件尺寸逐渐缩小，元件与元件之间的距离也必须缩小，因此造成在光刻步骤中，图案转移有可能收到光线的影响而产生偏差，也就是所谓的光学邻近效应(Optical Proximity Effect，OPE)。而形成光学邻近效应的因素是当光束透过掩模上的图案投影在芯片上时，一方面由于光束会产生散射现象而使得光束被扩大。另一方面，光束会透过芯片表面的光刻胶层再经由芯片的半导体基底反射回来，产生干涉的现象，因此会重复曝光，而改变在光刻胶层上实际的曝光量。

光学邻近效应修正法(Optical Proximity Correction，OPC)的目的就是用以消除因邻近效应所造成的关键尺寸偏差现象。然而，以目前所采用的光学邻近效应修正法修正后，仍然会有一部分的图形无法符合目标布局图形。目前这一些无法符合目标布局图形必须在建立离标点之后通过人工逐一比对与修正。然而，晶圆上的离标点多达数百万个，通过人工比对与修正的方式，不仅耗费人力与成本，而且必须花费长时间才可完成。

发明内容

本发明提出一种进阶修正方法，可以取代人工的方式，在短时间内使经由修正后的修正图型的仿真轮廓有效收敛且接近目标布局图形。

本发明实施例的进阶修正方法，可以使经由调整后的修正图型的仿真轮廓有效收敛且接近目标布局图形。

本发明提供一种进阶修正方法，包括提供目标布局图形，接着，对目标布局图形施以分段及建立多个评估点，再以修正模型修正目标布局图形，以取得修正图形。之后，对修正图形进行仿真模拟，以取得模拟轮廓。其后，在目标布局图形上的每一评估点计算仿真轮廓与目标布局图形的差异，当差异值大于所设定的标准值时，所对应的评估点即被归类成离标评估点，接着依据影响仿真轮廓偏离目标布局图形的多个影响因子以及多个预设条件范围，以取得各个离标评估点的多个风险加权值。继之，将各个离标评估点的风险加权值加总，以得到各个离标评估点的风险加总值。之后，将离标评估点的风险加总值由高至低排序成处理顺序。其后，将目标布局图形加以辨认及分类归纳成多个图形区块。依据处理顺序，调整修正图形，使调整后的修正图形的仿真轮廓收敛且接近目标布局图形。

依照本发明一实施例所述，上述取得各个离标评估点的风险加权值的方法更包括建立查询表以及查询查询表来取得，查询表具有影响因子以及对应的预设条件范围的风险加权值的信息。

依照本发明一实施例所述，上述影响因子包括离标程度(off-target level)、目标关键尺寸、片段类型以及直线长度。离标程度为离标评估点与目标布局图形的多个目标点的偏差值。

依照本发明一实施例所述，上述离标程度愈大、目标关键尺寸愈小或直线长度愈长，则风险加权值愈大。

依照本发明一实施例所述，上述片段类型包括转角(Vert)、直线(Run)、线末(Line end)或其组合，且直线的风险加权值大于转角的风险加权值，且转角的风险加权值大于线末的风险加权值。

依照本发明一实施例所述，上述进阶修正方法，更包括建立多个特定图层，其中各特定图层分别储存目标布局图形、修正图形、仿真轮廓以及离标评估点的信息。

依照本发明一实施例所述，上述调整修正图形的步骤是进行至离标评估点减少至一预定值以下或为零。

依照本发明一实施例所述，上述调整修正图形的步骤是进行至离标评估点的这些风险加总值下降至一预定值以下或为零。