[发明专利]基于二维层状材料的SOI基微环滤波器无效
| 申请号： | 201410188123.2 | 申请日： | 2014-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN103941345A | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 鲍桥梁;李鹏飞;李绍娟;甘胜;孙甜 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | G02B6/293 | 分类号： | G02B6/293 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 刘懿 |
| 地址： | 215000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 二维 层状 材料 soi 基微环 滤波器 | ||
1.基于二维层状材料的SOI基微环滤波器，其特征在于：包括一个由埋氧层（31）和顶层硅（32）组成的SOI衬底（3），所述顶层硅（32）上设置有一组SOI微环谐振腔（1）、输入直波导（9）和输出直波导（10），所述输入直波导（9）和所述输出直波导（10）分别位于所述SOI微环谐振腔（1）的上下两侧，构成SOI波导结构；所述SOI波导结构上覆盖有一个二维层状材料（2），所述输入直波导（9）的两端分别设有输入端光栅（4）和直通端光栅（5），所述输出直波导（10）的一端设有输出端光栅（6）；所述SOI微环谐振腔（1）与所述输入直波导（9）最接近的区域形成第一耦合区域（7），所述SOI微环谐振腔（1）与所述输出直波导（10）最接近的区域形成第二耦合区域（8）。
2.根据权利要求1所述的基于二维层状材料的SOI基微环滤波器，其特征在于：所述SOI微环谐振腔（1）由单个SOI微环或多个SOI微环组成，利用谐振特性对光信号进行滤波处理。
3.根据权利要求1所述的基于二维层状材料的SOI基微环滤波器，其特征在于：所述二维层状材料（2）铺设在所述SOI微环谐振腔的微环（1）上，或铺设在所述输出端光栅（6）的所述输出直波导（10）上，利用所述二维层状材料（2）的饱和吸收效应对光信号进行处理，优化信号输出。
4.根据权利要求3所述的基于二维层状材料的SOI基微环滤波器，其特征在于：所述二维层状材料（2）是具有饱和吸收效应的二维材料，包括石墨烯、石墨炔、类石墨烯衍生物、硅烯、六方氮化硼、过渡金属硫化物、二维黑磷和拓扑绝缘体；这些所述的二维材料利用其与光信号作用后的饱和吸收效应，对光信号进行处理，对滤波器的滤波性能起到了提升作用。
5.根据权利要求4所述的基于二维层状材料的SOI基微环滤波器，其特征在于：所述过渡金属硫化物为MoS2、WS2或WSe2。
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