[发明专利]一种熔丝架构

权利要求书

1.一种熔丝架构，其特征在于，其包括熔丝单元及与熔丝单元连接的电源与感应电路，该熔丝单元设有能加载控制信号的字线与传输烧录与读取数据所需电流的位线，该熔丝单元通过该位线连接该电源与感应电路。

2.如权利要求1所述的熔丝架构，其特征在于，所述熔丝单元包括有一个开关元件及连接该开关元件一端的第一连接组件与连接该开关元件另一端的第二连接组件，该第一连接组件另一端接地，该第二连接组件另一端为位线并连接该电源与感应电路，所述字线连接开关元件的控制端并控制开关元件的导通与截止。

3.如权利要求2所述的熔丝架构，其特征在于，用于连接所述开关元件的第一连接组件的连接端子为两个以上，所述第二连接组件的阻抗大于所述第一连接组件的阻抗。

4.如权利要求2所述的熔丝架构，其特征在于，所述控制信号为高电平，所述开关元件导通，所述电源提供烧录电流并将与该开关元件连接的第二连接组件的端点熔断。

5.如权利要求2所述的熔丝架构，其特征在于，所述字线置为高电平，所述感应电路对所述位线充电，当所述第二连接组件被烧断，所述位线上的电压为高电位, 当所述第二连接组件没有被烧断，所述位线上的电压为低电位，由所述感应电路侦测所述位线上的电压，判断出熔丝单元的状态。

6.如权利要求2所述的熔丝架构，其特征在于，所述开关元件为场效应管，该场效应管的源极连接该第一连接组件，该场效应管的漏极连接该第二连接组件，该场效应管的栅极连接所述字线。

7.如权利要求6所述的熔丝架构，其特征在于，所述场效应管的漏极的连接形式为：漏极、接触层、第一金属层依次连接，或漏极、接触层、第一金属层、第一导通段及第二金属层依次连接，或漏极、接触层、第一金属层、第一导通段、第二金属层、第二导通段及第三金属层依次连接，或漏极、接触层、第一金属层、第一导通段、第二金属层、第二导通段、第三金属层、第三导通段及第四金属层依次连接。

8.如权利要求2所述的熔丝架构，其特征在于，所述开关元件为晶体管，该晶体管的基极连接所述字线，发射极连接所述第一连接组件，集电极连接所述第二连接组件。

9.一种熔丝架构，其特征在于，其包括多个熔丝单元，该熔丝单元组成阵列结构，每行熔丝单元共用一个能加载控制信号的字线，每列熔丝单元共用一个用于传输烧录与读取数据所需电流的位线，每一位线均连接电源与感应电路。

10.如权利要求9所述的熔丝架构，其特征在于，每一所述熔丝单元包括有一个开关元件及连接该开关元件一端的第一连接组件与连接该开关元件另一端的第二连接组件，该第一连接组件另一端接地，该第二连接组件另一端连接该熔丝单元所在列的位线，每一行所述字线连接该行开关元件的控制端并控制该开关元件的导通与截止。

11.如权利要求10所述的熔丝架构，其特征在于，用于连接所述开关元件的第一连接组件的连接端子为两个以上，所述第二连接组件的阻抗大于所述第一连接组件的阻抗。

12.如权利要求10所述的熔丝架构，其特征在于，所述控制信号为高电平，该控制信号所在行的开关元件导通，该行开关元件连接的所述电源提供烧录电流并将与该行的开关元件连接的第二连接组件的端点熔断。

13.如权利要求10所述的熔丝架构，其特征在于，所述字线置为高电平，所述感应电路对该字线所在行的所述位线充电，当该行的所述第二连接组件被烧断，该行的所述位线上的电压为高电位, 当该行的所述第二连接组件没有被烧断，该行的所述位线上的电压为低电位，由所述感应电路侦测该行所述位线上的电压，判断出熔丝单元的状态。

14.如权利要求10所述的熔丝架构，其特征在于，所述开关元件为场效应管，该场效应管的源极连接该第一连接组件，该场效应管的漏极连接该第二连接组件，该场效应管的栅极连接所述字线。

15.如权利要求14所述的熔丝架构，其特征在于，所述场效应管的漏极的连接形式为：漏极、接触层、第一金属层依次连接，或漏极、接触层、第一金属层、第一导通段及第二金属层依次连接，或漏极、接触层、第一金属层、第一导通段、第二金属层、第二导通段及第三金属层依次连接，或漏极、接触层、第一金属层、第一导通段、第二金属层、第二导通段、第三金属层、第三导通段及第四金属层依次连接。

16.如权利要求10所述的熔丝架构，其特征在于，所述开关元件为晶体管，该晶体管的基极连接所述字线，发射极连接所述第一连接组件，集电极连接所述第二连接组件。