[发明专利]动态静电放电钳位电路有效
| 申请号： | 201410184890.6 | 申请日： | 2014-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN105098743B | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | 陈光;程惠娟;李宏伟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/02 | 分类号： | H02H9/02 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 动态 静电 放电 电路 | ||
1.一种动态静电放电ESD钳位电路，包括：
一个VCC电压电源(8)；
一个VSS接地电源(9)；
一个用于ESD检测的栅极耦合晶体管(3)，在所述栅极耦合晶体管(3)检测到ESD事件后触发导通，与反馈晶体管(5)形成竞争关系；
连接在所述VCC电压电源(8)和所述栅极耦合晶体管(3)的栅极之间的耦合电容器(1)；
连接在所述栅极耦合晶体管(3)和所述VSS接地电源(9)的栅极之间的一系列电阻(2)；
钳位晶体管(7)，为多叉指结构，连接在所述VCC电压电源(8)和所述VSS接地电源(9)之间，用于在栅极电压的控制下导通与所述VSS接地电源(9)之间的通路以泄放ESD电流；
反相器(4)，连接在所述栅极耦合晶体管(3)的漏极和所述钳位晶体管(7)的栅极之间，在ESD事件发生时，触发所述钳位晶体管(7)的栅极与漏极端子耦合；
所述反馈晶体管(5)，连接在所述钳位晶体管(7)的栅极与所述栅极耦合晶体管(3)的漏极之间，在所述VCC电压电源(8)开启时导通所述VCC电压电源(8)到所述反相器(4)的输入极之间的电路连接；
连接在所述钳位晶体管(7)的栅极和所述VSS接地电源(9)的栅极之间的电阻(6)。
2.根据权利要求1所述的电路，所述栅极耦合晶体管(3)为n沟道晶体管。
3.根据权利要求1所述的电路，所述耦合电容器(1)为n沟道晶体管的寄生电容或p沟道晶体管的寄生电容。
4.根据权利要求1所述的电路，所述耦合电容器(1)为金属氧化物半导体MOS可变电抗寄生电容或二极管的寄生电容。
5.根据权利要求1所述的电路，所述系列电阻(2)为多晶硅电阻、栅极软接高NMOS电阻、栅极软接低PMOS电阻器、或金属寄生电阻。
6.根据权利要求1所述的电路，所述反馈晶体管(5)为p沟道晶体管，所述反馈晶体管(5)的栅极与所述钳位晶体管(7)的栅极连接，所述反馈晶体管(5)的源极和所述反馈晶体管(5)的衬底均与所述VCC电压电源(8)连接，所述反馈晶体管(5)的漏极与所述反相器(4)的输入极连接。
7.根据权利要求1所述的电路，所述反相器(4)只有一级，用于减小触发时间和提升导通速度。
8.根据权利要求1所述的电路，所述电阻器(6)为多晶硅电阻、栅极软接高NMOS电阻、栅极软接低PMOS电阻器、或金属寄生电阻。
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