[发明专利]一种抛光砖抛釉砖加工工艺

说明书

技术领域

本发明涉及建筑陶瓷技术领域，尤其涉及一种抛光砖抛釉砖加工工艺。

背景技术

在抛光砖的制备过程中，当砖体被抛光后其表面层布满毛细孔，这些毛细孔容易填充、吸附其他固体颗粒、液体、胶体等，从而造成污染。为提高抛光砖的抗污性能，需在砖体表面层涂覆防污液。

如图1所示，传统的抛光砖制备工艺主要包括以下流程：粗抛、中抛——精抛——磨边——水洗——风干——洁亮——对色、分级——防污——包装。在传统工艺中，磨边之后，砖体的尺寸就被定型，受洁亮和防污工艺本身的局限性，在砖体边缘往往存在暗边，光度低，防污效果差的缺陷，以及崩角、烂边造成少量废品。对于一些光泽度要求不高(75°-85°)的抛光砖而言，这种缺陷带来的影响并不是很明显；而对于一些高光泽度(95°-100°)的抛光砖抛釉砖而言，这种缺陷是不允许的。尤其当相邻地砖拼合在一起使用一段时间后，黑边面积翻倍而变得更加凸显，难以满足客户对高档地砖所提出的要求。

发明内容

针对现有技术中存在的缺陷，本发明的目的在于提供一种无暗边，抛光砖边缘防污效果凸出的抛光砖抛釉砖加工工艺。

为达到以上目的，本发明采用如下技术方案。

一种抛光砖抛釉砖加工工艺，其特征在于，包括：抛光—水洗—风干—洁亮—第一次防污—磨边—水洗—风干—对色、分级—第二次防污—包装；其中，

所述洁亮是指在风干后的砖体表面涂布一层二氧化硅溶胶，二氧化硅溶胶经失水后聚合成玻璃体填充在抛光砖面层的孔洞内，形成光滑的镜面；

所述第一次防污是指在洁亮后的砖体表面涂布不足量的防污液，充当工序间的临时保护；

所述第二次防污是指在砖体表面涂布防污液形成永久保护。

作为上述方案的一种改进，所述二氧化硅溶胶利用正硅酸乙酯，乙醇，去离子水和催化剂经复杂反应制成；也可用金属硅直接水合生成。

作为上述方案的一种改进，所述二氧化硅溶胶的固含量为5-30％。

作为上述方案的一种改进，第一次防污时防污液的涂布量不超过抛光砖对防污液吸收总量的80％，第一次防污与第二次防污所用防污液总量不超过抛光砖对防污液吸收总量的100％。

作为上述方案的一种改进，所述防污液由两种能发生聚合反应的有机硅油混合而成，其中一种有机硅油为含氢硅油，另一种有机硅油为烷基改性硅油，聚醚改性硅油，环氧改性硅油，羟基改性硅油中的一种。

作为上述方案的一种改进，所述防污液为溶剂型防污液，该溶剂型防污液按重量份计包括以下原料：

含氢硅油，15-20份；

氨基硅烷，0.5-2.5份；

120号溶剂汽油，100份；

200号溶剂汽油或溶剂汽油D-40，0-4份；

氨基硅油，3-5份。

作为上述方案的一种改进，所述洁亮工序是通过多组加压磨盘连续抛磨来实现的，所述加压磨盘的工作压力为1-5公斤力/平方厘米，每块抛光砖经过加压磨盘的数量为3-40组。

与现有技术相比，本发明提供的一种抛光砖抛釉砖加工工艺具有以下有益效果：

一、将磨边工序放在第一次防污工艺之后，抛光砖边缘区即暗边区通过后续的磨边工序可完全磨去，从根本上解决了高光泽度抛光砖的边缘光度低、防污差的问题，使高光泽度抛光砖的产品性能得到极大提升。

二、由于第一次防污与第二次防污所用防污液总量不超过抛光砖对防污液吸收总量的100％，有效避免因防污的涂布而带来色差问题。

附图说明

图1所示为现有的抛光砖加工工艺流程图；

图2所示为本发明提供的抛光砖加工工艺流程图。

具体实施方式

为方便本领域普通技术人员更好地理解本发明的实质，下面结合附图对本发明的具体实施方式进行详细阐述。

实施例一

如图2所示，一种抛光砖抛釉砖加工工艺，包括如下步骤：

1)粗、中抛，利用粗抛设备对瓷砖粗坯进行抛磨，去除瓷砖粗坯上的较大凸起，使砖体表面尽量平整。

2)精抛，利用精抛机对瓷砖粗坯继续抛磨，使瓷砖表面的光度达到25°-55°。在精抛之前进行粗、中抛的好处是，不仅减少精抛机的磨损，而且尽量节约了抛光时间尤其是精抛时间。

3)水洗，利用水洗去瓷砖上的抛光粉末。

4)风干，将水洗后的瓷砖防止在阴凉通风处，让残留的水渍自然挥发。