[发明专利]一种存储装置及用于存储装置的数据访问方法

说明书

技术领域

本发明涉及信息技术领域，具体说涉及一种存储装置及用于存储装置的数据访问方法。

背景技术

电可擦可编程只读存储器(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，简称EEPROM)，是一种特殊形式的闪存，是一种掉电后数据不丢失的存储器。

EEPROM可通过高于普通电压的作用来擦除和重编程(重写)。EEPROM可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程。通常EEPROM利用个人电脑来擦写和重编程，不需从计算机中取出即可修改。由于EEPROM的可编程特性以及其较低的成本，其在电子产品中被广泛地应用。EEPROM一般用于即插即用，也常用在接口卡中，用来存放硬件设置数据，或用在防止软件非法拷贝的"硬件锁"上面。

在一个EEPROM中，当计算机在使用的时候可频繁地反复编程，因此EEPROM的寿命是一个很重要的设计考虑参数。但是当在EEPROM内存储数据时，通常会将数据存储在固定位置，因此，在电子产品中，若EEPROM存储的某处数据不需要频繁的更新(写/读操作)，EEPROM可以使用足够长的时间。但若EEPROM中该处数据需要频繁的更新(写/读操作)，则会极大的缩短该处存储单元的使用寿命。从而对于EEPROM整体而言，出现内部某处存储单元到达使用寿命但其他部分还没有到达使用寿命的情况。

与此同时，在现有技术环境下，不光是EEPROM，对于大多数利用其他技术的存储装置而言，也存在由于内部各存储单元访问频率差距过大导致的使用寿命差距过大的问题。

并且，在实际使用过程中，EEPROM以及大多数利用其他技术的存储装置易受电磁环境影响，存储数据不稳定，存储数据容易被意外修改。

因此，针对存储装置内部各单元使用寿命差距过大以及存储数据不稳定的问题，需要一种新的数据访问方法以达到均衡使用存储装置内部单元并保证存储数据安全稳定。

发明内容

针对存储装置内部各单元使用寿命差距过大以及存储数据不稳定的问题，本发明提供了一种用于存储装置数据访问方法，所述方法包含以下步骤：

步骤一，将存储装置的数据存储区划分为多个数据存储单元，按照访问规则从所述数据存储单元中读取数据或将数据写入所述数据存储单元中；

步骤二，对每个数据存储单元的访问次数进行计数；

步骤三，判断所述访问次数是否达到或超过预先设定的阈值；

步骤四，当访问次数判断结果为是时，将访问次数最大一个或几个数据存储单元与当前访问次数小于所述阈值的一个或几个数据存储单元内部存储的数据相互交换，并同时相应的修改所述访问规则。

在一个实施例中，所述访问规则包括每个所述数据存储单元的地址编码定义，以及对应的系统解码定义。

在一个实施例中，所述步骤四中，访问规则的修改包括：

将进行数据交换的数据存储单元的地址编码定义相互交换，在交换所述地址编码定义过程前后，所述系统解码定义不变。

在一个实施例中，将每个所述数据存储单元划分为至少一个存储空间，所述存储空间包含数据模块以及对应的纠错模块和校验模块。

在一个实施例中，在写入数据时，将相同的数据以及对应的纠错码和校验码分别写入单个数据存储单元的不同数据模块、纠错模块和校验模块中；其中所述校验码或所述纠错码采用至少一种校验规则或纠错规则。

在一个实施例中，当读取数据时，读取存储在某一个所述数据模块中的数据以及相应的校验码和纠错码；利用所述校验码进行校验判断并在校验判断失败时利用所述纠错码进行纠错判断。

在一个实施例中，当所述纠错判断失败时，读取其他数据模块的数据以及相应的校验码和纠错码，进行所述校验判断并在校验判断失败时进行所述纠错判断。

在一个实施例中，读取不同的数据模块的数据以及相应的校验码和纠错码并进行所述校验判断或所述纠错判断，直到所述校验判断或所述纠错判断成功；利用校验成功或纠错成功的正确数据对出现错误的数据模块进行数据恢复操作。

在一个实施例中，一种存储装置，包括：数据存储单元；访问电路，其与所述数据存储单元相连；计数器，其与所述数据存储单元连接，用于计数数据存储单元的访问次数；地址转换器，其输入接口与所述计数器连接，输出接口与所述数据存储器连接，用于基于所述计数器的值转换所述地址解码器输出的地址编码。地址解码器，其输出接口与所述地址转换器输入接口连接，用于解码数据信号中的地址编码；