[发明专利]数据存储的方法及装置

说明书

技术领域

本发明涉及闪存技术领域，尤其涉及数据存储的方法及装置。

背景技术

NandFlash(闪存)，一种存储介质，由多个物理块组成，每个物理块又包括多个物理页，数据的写入以页为单位，已写入数据的物理页不能重复写入，只有在对写入的数据进行擦除后才可以再次写入数据，对写入数据进行擦除是以块为单位进行擦除。在NandFlash存储装置中，写满数据的物理块被称为数据块，正在使用的物理块为记录块，且为了提高性能，记录块通常设置有多个。NandFlash存储装置包括FTL(Flash Translation Layer，闪存转换层)模块，该FTL模块用于进行逻辑页地址和物理页地址之间的转换，并驱动硬件传送数据。NandFlash存储装置还包括SRAM(静态随机存储器)，用于缓存数据，SRAM缓存的数据中包含映射表，即逻辑页地址和物理页地址的转换关系。映射表又分为主映射表和记录块映射表，其中，主映射表存储的是数据块上的映射关系，主映射表分段存储到Flash上。记录块映射表存储的是记录块的映射关系，存储在记录块上，在记录块写满后，该写满的记录块转为数据块，且将记录块映射表作为主映射表进行保存。

现有技术中，NandFlash存储装置数据写入的过程为：当接收到数据写入指令时，先确定该数据写入指令的逻辑页地址，为所述数据的写入确定一个物理块中的物理页及物理页地址，将所述数据写入确定的物理页上，并在记录块映射表中存储所述数据的映射关系，即存储所述数据的逻辑页地址和物理页地址的转换关系，存储的逻辑页地址和物理页地址称为映射关系的映射项。在NandFlash存储装置数据写入中，需要为每一个物理块对应分配与该物理块物理页数相同数量的映射项，即，每存储一页数据就需要增加一个映射项。在上述NandFlash存储装置数据写入方式中，在有大量页数的数据写入时，需要较多的记录块映射表来存储待写入数据的映射关系，这样将大幅占用NandFlash存储装置缓存的空间，为了提高NandFlash存储装置的性能，需要提供更多的缓存空间，这样会导致NandFlash存储装置的制作成本增加。

上述内容仅用于辅助理解本发明的技术方案，并不代表承认上述内容是现有技术。

发明内容

本发明的主要目的为提供数据存储的方法及装置，旨在实现节省缓存空间，进而节约NandFlash存储装置的制作成本。

为实现上述目的，本发明提供一种数据存储的方法，该方法包括步骤：

当侦测并接收到数据写入指令时，根据接收到的数据写入指令确定所述待写入数据的逻辑页地址和所述待写入数据的页数，且为所述待写入数据的各个逻辑页地址确定对应的物理页地址，所述待写入数据包括多逻辑页数据及单逻辑页数据；

将确定的逻辑页地址、物理页地址及页数作为一个映射项关联保存于记录块映射表中。

优选地，该方法还包括步骤：

当侦测并接收到数据写入指令时，分析是否保存有与所述待写入数据连续的数据；

在保存有与所述待写入数据连续的数据时，根据接收到的数据写入指令得到所述待写入数据的页数，并按照得到的页数，更新与待写入数据连续的数据的映射项。

优选地，所述在保存有与待写入数据连续的数据时，根据接收到的数据写入指令得到所述待写入数据的页数，并按照得到的页数更新与待写入数据连续的数据的映射项的步骤包括：

在保存有与待写入数据连续的数据时，获取与待写入数据连续的数据的物理页地址，并分析所述记录块是否有与获取的物理页地址连续的物理页地址；

在所述记录块有与获取的物理页地址连续的物理页地址时，根据接收到的数据写入指令得到所述待写入数据的页数，并按照得到的页数，更新与待写入数据连续的数据的映射项。

优选地，该方法还包括步骤：

当侦测并接收到数据写入指令时，根据接收到的数据写入指令确定所述待写入数据的逻辑页地址，且为所述待写入数据的各个逻辑页地址确定对应的物理页地址，并分析是否保存有与所述待写入数据逻辑页地址一致的数据；

在保存有与所述待写入数据逻辑页地址一致的数据时，找出与所述待写入数据逻辑页地址一致的数据对应映射项，并根据确定的物理页地址更新找出的映射项。

优选地，所述在保存有与所述待写入数据逻辑页地址一致的数据时，找出与所述待写入数据逻辑页地址一致的数据对应映射项，并根据确定的物理页地址更新找出的映射项的步骤包括：