[发明专利]能应对过电压的交流直接驱动型LED电源装置

权利要求书

1.一种能应对过电压的交流直接驱动型LED电源装置，在能应对过电压的交流直接驱动型LED电源装置中，其特征在于，包括：

电源输入部，其接受交流电源供应；

整流部，其用于对所述电源输入部输出的所述交流电源进行整流，生成整流电流；

LED排列部，其连接得从所述整流部接受整流电流供应，由一个以上的LED模块构成；

恒定电流控制部，其连接于所述LED排列部，用于使接入所述LED排列部的整流电流的波形变形，控制使得只流动既定额定电流以下；及

基于电压的电流控制部，其根据所述恒定电流控制部的两端电压而驱动，用于根据所述电源输入部供应的过电压的大小，连续地降低电流值。

2.根据权利要求1所述的能应对过电压的交流直接驱动型LED电源装置，其特征在于，

所述恒定电流控制部具备连接的两个Q1及Q2FET，根据两个所述Q1及Q2FET的动作，管制连接于所述恒定电流控制部的所述LED排列部内的电流流动。

3.根据权利要求1所述的能应对过电压的交流直接驱动型LED电源装置，其特征在于，

所述基于电压的电流控制部具备一个Q3FET，根据Q3FET的动作，降低所述恒定电流控制部的电压。

4.根据权利要求2所述的能应对过电压的交流直接驱动型LED电源装置，其特征在于，

所述Q1及Q2FET为BJT（Bipolar Junction Transistor，双极结型晶体管）或FET（Field Effect Transistor，场效应晶体管）。

5.根据权利要求3所述的能应对过电压的交流直接驱动型LED电源装置，其特征在于，

所述Q3FET为BJT或FET。

6.根据权利要求2所述的能应对过电压的交流直接驱动型LED电源装置，其特征在于，

在所述Q1FET及所述Q2FET的栅极电极前端，分别具备用于形成所述Q1及Q2FET驱动所需基准电压的R1电阻及用于调节电流限制量的R2电阻。

7.根据权利要求3所述的能应对过电压的交流直接驱动型LED电源装置，其特征在于，

在所述Q3FET的栅极电极前端，并列具备能够决定控制时间点的R3电阻及R4电阻.

8.根据权利要求1所述的能应对过电压的交流直接驱动型LED电源装置，其特征在于，

还包括基准电压源部，其配备于所述LED排列部与所述基于电压的电流控制部之间，用于使所述LED排列部中流动的电流连接到所述基于电压的电流控制部中具备的R3电阻；所述基准电压源部执行使电流限制时间点延迟或基准电压判读中的某一个以上。

9.根据权利要求1所述的能应对过电压的交流直接驱动型LED电源装置，其特征在于，

还包括基准电流源部，其配备于所述LED排列部与所述基于电压的电流控制部之间，用于使所述LED排列部中流动的电源连接到所述基于电压的电流控制部中具备的R3电阻；所述基准电流源部执行使电流限制时间点延迟或基准电流判读中的某一个以上。

10.根据权利要求9所述的能应对过电压的交流直接驱动型LED电源装置，其特征在于，

所述基准电流源部包括一个Q4FET和连接于所述Q4FET的栅极电极并决定电流量的R5电阻及R6电阻。

11.根据权利要求3所述的能应对过电压的交流直接驱动型LED电源装置，其特征在于，

所述基于电压的电流控制部包括基准电压源部，其连接于所述基于电压的电流控制部具备的Q3FET的栅极电极与R3电阻。

12.根据权利要求8所述的能应对过电压的交流直接驱动型LED电源装置，其特征在于，

所述恒定电流控制部包括最小电流保障部，其连接于所述LED排列部连接的R1电阻与所述Q2FET的源极电极。

13.根据权利要求12所述的能应对过电压的交流直接驱动型LED电源装置，其特征在于，

所述最小电流保障部由连接于所述R1电阻的Q5FET和连接于所述Q5FET的栅极电极的R7电阻构成。