[发明专利]磁共振成像装置

说明书

本申请是申请人于2010年9月25日提出的申请号为201010292692.3、发明名称为磁共振成像装置的专利申请的分案申请。技术领域

本发明涉及磁共振成像装置。

相关申请的交叉引用

本申请基于2009年9月28日提交的日本专利申请No.2009-223239以及2010年8月17日提交的日本专利申请No.2010-182462并要求其优先权，其全部内容通过引用结合在本申请中。

背景技术

磁共振成像装置为向静磁场内放置的被检体施加高频磁场，检测由于高频磁场的施加从被检体产生的磁共振信号从而生成图像的装置。该磁共振成像装置具备通过向被检体施加倾斜磁场，从而对磁共振信号附加空间位置信息的倾斜磁场线圈。

该倾斜磁场线圈由于在摄像中反复地供给脉冲电流而很大地发热。特别是，近年来，随着成像技术的高速化，倾斜磁场的通断的高速化以及倾斜磁场的高强度化成为必须的，从而倾斜磁场线圈的发热更加显著。

并且，倾斜磁场线圈的发热有可能对所摄像的图像的画质产生影响，对成为摄像对象的被检体产生痛苦。因此，例如，提出了通过在倾斜磁场线圈的内部所设置的冷却管中使冷媒循环，从而在摄像过程中使倾斜磁场线圈冷却的技术（例如，参照日本特开2006-311957号公报）。

然而，在上述以往技术中，如以下说明，存在无法冷却到倾斜磁场线圈的端部的课题。

图10为用于说明使用冷却管的以往技术的课题的图。图10示出了形成为大致圆筒状的倾斜磁场线圈的一端的内部的情况。如图10所示，例如，在倾斜磁场线圈1中，冷却管2被设置为在沿着从倾斜磁场线圈1的一端向另一端的方向进入后向外周方向弯曲，然后，沿着倾斜磁场线圈1的圆筒形状一边呈螺旋状卷绕一边达到另一端。

这种情况下，例如，如图10所示，在倾斜磁场线圈1的端部，形成侵入紧接之后冷却管与第1圈的冷却管所包围的区域3。该区域3由于没有配置冷却管，因此无法通过冷媒被冷却。其结果，例如，无法冷却为了校正摄像区域内的静磁场不均匀性而在倾斜磁场线圈1上配备的多个铁垫片中的、被配备在倾斜磁场线圈1的端部的铁垫片5。

另外，在以往技术中，也存在以提高倾斜磁场线圈的冷却效率为目的，使多个冷却管与倾斜磁场线圈并列卷绕的情况。那种情况下，在倾斜磁场线圈的端部，由于为了使多个冷却管弯曲所需要的空间变得更加宽阔，因此无法冷却的区域变得更大。

发明内容

本发明涉及的磁共振成像装置，包括：倾斜磁场线圈、线圈冷却管。倾斜磁场线圈向静磁场内放置的被检体施加倾斜磁场。线圈冷却管被设置在上述倾斜磁场线圈上，通过使冷媒在管内流通从而冷却上述倾斜磁场线圈。在此，上述线圈冷却管被设置为在沿着从上述倾斜磁场线圈的一端向另一端的方向延伸后弯曲，并沿着上述倾斜磁场线圈的形状返回到上述一端。

在下面的描述中将提出本发明的其它目的和优点，部分内容可以从说明书的描述中变得明显，或者通过实施本发明可以明确上述内容。通过下文中详细指出的手段和组合可以实现和得到本发明的目的和优点。

发明的效果

根据与实施方式相关的磁共振成像装置，可以冷却倾斜磁场线圈直到端部。

附图说明

结合在这里并构成说明书的一部分的附图描述本发明当前优选的实施方式，并且与上述的概要说明以及下面的对优选实施方式的详细描述一同用来说明本发明的原理。

图1为表示与实施例1相关的MRI装置的结构的结构图。

图2为表示与实施例1相关的倾斜磁场线圈的构造的透视图。

图3为表示与实施例1相关的倾斜磁场线圈的内部构造的构造图。

图4为表示与实施例1相关的屏蔽线圈（shield coil）侧冷却系统的整体结构的透视图。

图5为表示与实施例1相关的倾斜磁场线圈的一端的第1冷却管以及第2冷却管的配置的图。

图6为表示与实施例2相关的倾斜磁场线圈的构造的透视图。

图7为与实施例2相关的RF屏蔽物的外观图。

图8为表示与实施例2相关的倾斜磁场线圈的内部构造的构造图。

图9为表示与实施例3相关的冷却管的屏蔽线圈侧冷却系统的整体结构的透视图。

图10为用于说明使用冷却管的以往技术的课题的图。

具体实施方式