[发明专利]校准包含传感器的器件的方法及设备在审
申请号: | 201410138031.3 | 申请日: | 2014-04-08 |
公开(公告)号: | CN104101373A | 公开(公告)日: | 2014-10-15 |
发明(设计)人: | R·P·塞斯戈;P·T·琼斯;S·K·帕兰孙;J·D·斯坦利;W·D·麦克赫特尔 | 申请(专利权)人: | 飞思卡尔半导体公司 |
主分类号: | G01D18/00 | 分类号: | G01D18/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 申发振 |
地址: | 美国得*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 校准 包含 传感器 器件 方法 设备 | ||
技术领域
本发明描述的主题的实施例通常涉及校准包含一个或多个传感器的器件的方法及设备。
背景技术
加速计正在被纳入不断扩大的各种电子系统中。例如,MEMS(微机电系统)加速计目前常用于汽车系统和消费电子以及工业电子产品。
在制作MEMS加速计之后,校准处理通常是在工厂中执行的以确定每个加速计传感轴的修整调整值(trim adjustment)。修整调整值可以随后被存储在器件内的存储器中,其中加速计被最终合并在所述器件内。
校准加速计的常规方法往往要么是使用昂贵的器件处理和校准设备,要么以低水平的自动化度和/或并行度(parallelism)(例如,只有单一的器件或少量的器件可以同时被校准)来执行校准。高昂的设备费用和/或自动化和/或并行度中的缺陷不利地影响了加速计的制作成本。加速器制造商通过以较低的利润提供产品和/或通过将其相对较高的制作成本包含在他们的产品定价中,而被迫承担费用,从而潜在地使得其产品在市场上有较小的竞争力。
附图说明
在结合以下附图考虑的同时,通过参考详细说明书和权利要求,对本发明主题会有更加全面的理解,其中附图中相似的参考符号指示相似的元件。
图1根据示例实施例,是包含传感器的器件的外形图;
图2根据示例实施例,是包括了多个传感器的器件的简化方框图;
图3根据示例实施例,是器件校准系统的简化方框图;
图4根据示例实施例,是校准板的顶视图,其中多个包含传感器的器件被安装在所述校准板的插座内;
图5根据示例实施例,是用于制作和校准多个包含传感器的器件的方法的流程图;
图6根据示例实施例,是包括了以相对于固定坐标系的第一取向(oritantion)而取向的板支撑结构的器件处理系统的外形图;
图7根据示例实施例,是图6的器件处理系统的外形图,其中板支撑结构以相对于所述固定坐标系的第二取向而取向;
图8根据示例实施例,是用于校准多个包含传感器的器件的方法的流程图;
图9根据示例实施例,说明了通过其系统可以将包含传感器器件关于固定坐标系放置的预定序列取向的例子;而且
图10根据另一个示例实施例,说明了通过其系统可以将包含传感器器件关于固定坐标系放置的预定序列取向的例子。
具体实施方式
下面的详细描述本质上仅仅是说明性的,并不旨在限定本发明主题的实施例或这些实施例的应用或使用。正如本发明所使用的,词语“示例的”指“充当例子、实例或说明”。本发明中所描述的任何作为“示例的”或者“例示”的实施方式或者实施例不必被解释为比其它实施或实施例优先或有利。此外,不旨在被前述技术领域、背景技术、或以下详细描述中的任何明示或暗示的理论所限定。
本发明描述的主题的实施例包括用于校准(或“修整”)包含了一个或多个传感器的器件(“包含传感器的器件(transducer-including device)”),更具体地说是包含了一个或多个被配置以感测重力、运动(例如,加速、旋转)、电磁场强度、压力等等的传感器(sensor)的器件的方法及设备。例如,本发明讨论的校准方法和设备的各种实施例可以结合具有一个或多个加速计、陀螺仪、磁强计(或“磁性传感器”)、压力传感器和/或其它类型传感器的任意组合的器件。实施例更具体地说涉及包含在封装器件内的校准传感器,其中所述传感器产生表示相对于一个或多个器件固定轴或表面的各种加速度、力和/或场的大小的电信号。可使用各种校准方法和设备被校准的封装器件的例子结合图1在下面进行讨论。
更具体地说,图1根据示例实施例,是包含传感器的器件100的外形图。器件100包括封装在封装体内的各种内部电气组件(例如,传感器和其它组件)。例如,正如将要结合图2更详细讨论的,器件100可以包括一个或多个加速计(例如,图2的加速计212-214)、陀螺仪(例如,图2的陀螺仪222-224)、磁强计(例如,图2的磁强计232-234)、压力传感器和/或其它类型传感器的任意组合。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于飞思卡尔半导体公司,未经飞思卡尔半导体公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410138031.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。