[发明专利]一种碳纳米管编织的石墨烯薄膜、制备方法及光伏应用有效

专利信息
申请号: 201410128376.0 申请日: 2014-04-01
公开(公告)号: CN103922322A 公开(公告)日: 2014-07-16
发明(设计)人: 方英;李红变;师恩政;曹安源 申请(专利权)人: 国家纳米科学中心
主分类号: C01B31/04 分类号: C01B31/04;H01L31/0224
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 巩克栋;杨晞
地址: 100190 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 纳米 编织 石墨 薄膜 制备 方法 应用
【权利要求书】:

1.一种碳纳米管编织的石墨烯薄膜,该薄膜由石墨烯和网状碳纳米管薄膜组成,其特征在于,网状碳纳米管薄膜中的碳纳米管穿插于石墨烯中。

2.如权利要求1所述的碳纳米管编织的石墨烯薄膜,其特征在于,所述石墨烯为单层、双层及少量多层石墨烯共同组成的薄膜。

3.如权利要求1所述的碳纳米管编织的石墨烯薄膜,其特征在于,所述网状碳纳米管薄膜为单壁、双壁及少量多壁碳纳米管共同组成。

4.如权利要求1所述的碳纳米管编织的石墨烯薄膜,其特征在于,所述石墨烯为化学气相沉积法合成。

5.如权利要求1所述的碳纳米管编织的石墨烯薄膜,其特征在于,所述网状碳纳米管薄膜为化学气相沉积法合成,网孔尺寸为20nm~2μm。

6.一种如权利要求1所述的碳纳米管编织的石墨烯薄膜的制备方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:

(1)将网状碳纳米管薄膜转移到铜箔表面;

(2)将表面铺有网状碳纳米管薄膜的铜箔放入管式炉中,低压条件下生长石墨烯,得到基底-网状碳纳米管编织的石墨烯薄膜复合结构;

(3)将铜箔取出,置于刻蚀液中除去铜基底,得到悬浮的碳纳米管编织的石墨烯薄膜。

7.如权利要求6所述的方法,其特征在于,步骤(1)所述的网状碳纳米管薄膜为自由无支撑薄膜,薄膜透光率为80%-95%;优选85%-92%.;所述铜箔厚度为10-150μm;优选为15-25μm;纯度大于95%;优选为大于99%。

8.如权利要求6所述的方法,其特征在于,步骤(2)包括:将步骤(1)所述的铜箔置于管式炉中,抽真空至4.2*10-2-7.6*10-2Torr,通入流量为100-500sccm的氩气和流量为10-80sccm的氢气,30-60min内将管式炉升温至900-1050℃,并继续保温10-60min,然后通入流量为10-30sccm的甲烷,继续反应30-90min。

9.如权利要求6所述的方法,其特征在于,步骤(3)中所述刻蚀液为0.5-1MFeCl3溶液,0.5-1M Fe(NO3)3溶液或Marble试剂。

10.如权利要求1所述的碳纳米管编织的石墨烯薄膜的光伏应用;优选地,所述光伏应用是指在太阳能电池中的应用;更优选地,所述太阳能电池为碳纳米管编织的石墨烯-n型单晶硅太阳能电池。

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