[发明专利]碳纳米管阵列的转移方法及碳纳米管结构的制备方法

权利要求书

1.一种碳纳米管阵列的转移方法，包括以下步骤：

提供一代替基底及一生长基底，该生长基底表面具有碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列靠近该生长基底的表面为第一表面，远离该生长基底的表面为第二表面，该碳纳米管阵列的形态能够使得一碳纳米管结构从该碳纳米管阵列中连续地拉出；

将该代替基底设置在该碳纳米管阵列的第二表面，并使该代替基底与该碳纳米管阵列的第二表面之间具有液态介质；

使位于该代替基底与该碳纳米管阵列的第二表面之间的液态介质固化变为固态介质；

通过移动该代替基底与该生长基底中的至少一方，使该代替基底与该生长基底相远离，从而使该碳纳米管阵列与该生长基底分离，并转移至该代替基底；以及

通过升温去除位于该代替基底与该碳纳米管阵列之间的固态介质，去除固态介质后该碳纳米管阵列维持该形态使该碳纳米管结构仍能够从该碳纳米管阵列中连续地拉出，该碳纳米管结构包括首尾相连的碳纳米管。

2.如权利要求1所述的碳纳米管阵列的转移方法，其特征在于，该碳纳米管结构为碳纳米管膜或碳纳米管线。

3.如权利要求1所述的碳纳米管阵列的转移方法，其特征在于，该代替基底的表面与该碳纳米管阵列的第二表面之间通过固态介质紧密结合，使该代替基底与该生长基底相远离时该碳纳米管阵列与该生长基底分离。

4.如权利要求1所述的碳纳米管阵列的转移方法，其特征在于，该使该代替基底与该碳纳米管阵列的第二表面之间具有液态介质的步骤包括：

在该碳纳米管阵列的第二表面形成一层液态介质；以及

将该代替基底的表面接触该具有液态介质的第二表面。

5.如权利要求4所述的碳纳米管阵列的转移方法，其特征在于，该液态介质在该第二表面为液滴或液膜。

6.如权利要求4所述的碳纳米管阵列的转移方法，其特征在于，使位于该代替基底与该碳纳米管阵列的第二表面之间的液态介质变为固态介质的步骤包括以具有凝固点以下温度的代替基底接触该具有液态介质的第二表面。

7.如权利要求1所述的碳纳米管阵列的转移方法，其特征在于，该使该代替基底与该碳纳米管阵列的第二表面之间具有液态介质的步骤包括：

在该代替基底的表面形成一层液态介质；以及

将该代替基底具有液态介质的表面接触该碳纳米管阵列的第二表面。

8.如权利要求7所述的碳纳米管阵列的转移方法，其特征在于，该液态介质在该代替基底表面为液滴或液膜。

9.如权利要求1所述的碳纳米管阵列的转移方法，其特征在于，该液态介质为液滴或液膜，该液滴的直径或液膜的厚度为10纳米～300微米。

10.如权利要求1所述的碳纳米管阵列的转移方法，其特征在于，使位于该代替基底与该碳纳米管阵列的第二表面之间的液态介质变为固态介质的步骤包括将该代替基底、液态介质、碳纳米管阵列及生长基底的层叠结构放入低温箱中降温至凝固点以下。

11.如权利要求1所述的碳纳米管阵列的转移方法，其特征在于，在该分离的过程中，该碳纳米管阵列中的所有碳纳米管为同时脱离该生长基底。

12.如权利要求1所述的碳纳米管阵列的转移方法，其特征在于，该碳纳米管阵列中的碳纳米管沿该碳纳米管的生长方向脱离该生长基底。

13.如权利要求1所述的碳纳米管阵列的转移方法，其特征在于，该代替基底与该生长基底中的至少一方的移动方向为垂直于该生长基底的碳纳米管生长表面。