[发明专利]用以形成保护层的溶液与其制造方法与使用方法在审

申请号：	201410118892.5	申请日：	2014-03-27
公开（公告）号：	CN104744987A	公开（公告）日：	2015-07-01
发明（设计）人：	陈秋枫	申请（专利权）人：	奇美实业股份有限公司
主分类号：	C09D7/20	分类号：	C09D7/20;C09D7/40;C09D139/06;B23K26/18;H01L21/78
代理公司：	北京市柳沈律师事务所 11105	代理人：	陈小雯
地址：	中国台***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	用以形成保护层溶液与其制造方法使用方法
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【说明书】：

本发明公开一种用以形成保护层的溶液与其制造方法与使用方法。该溶液用以在芯片中形成保护层。溶液包括一水溶性树脂、一水溶性激光吸收剂以及一溶剂。溶剂包括水与有机溶剂，且水与有机溶剂的重量比为3～17。

技术领域

本发明涉及一种溶液，特别是涉及一种用以形成作为晶片激光加工的保护层的溶液。

背景技术

在半导体元件制造步骤中，在半导体晶片表面上，通过呈格子状配列的切割道(street)划分成多数区域，并沿着这些划分区域切割成多数个半导体芯片。当半导体晶片被切割刀片切割成半导体芯片时，会产生瑕疵、刮痕或碎片，使形成在芯片表面的绝缘膜脱落。为避免上述问题，目前通常的做法是在利用切割刀片切割之前，沿着切割道施加激光，从而形成与切割刀片同样宽度相对应的沟槽，再利用切割刀片进行切割。

然而，当沿着切割道施加激光时，激光会被吸收到例如硅基板中，使基板熔化或热分解并产生硅蒸气，这些蒸气冷凝后容易沉积在半导体芯片表面上，造成品质降低。

发明内容

本发明的目的在于提供一种溶液，可在要被激光加工的晶片上形成保护层，使激光经由保护层照射晶片表面，可以有效地避免冷凝后的硅蒸气或其他经由激光加工后产生的碎屑沉积在半导体芯片表面上，造成品质降低。

为达上述目的，本发明提出一种溶液，用以形成保护层。溶液包括一水溶性树脂、一水溶性激光吸收剂以及一溶剂。溶剂包括水与有机溶剂，且水与有机溶剂的重量比为3～17。

本发明还提出一种用以形成保护层的溶液的制造方法，包括混合一水溶性树脂、一水溶性激光吸收剂以及一溶剂。溶剂包括水与有机溶剂，水与有机溶剂的重量比为3～17。

本发明又提出一种用以形成保护层的溶液的使用方法，溶液包括一水溶性树脂、一水溶性激光吸收剂以及一溶剂，溶剂包括水与一有机溶剂，水与有机溶剂的重量比为3～17，且溶液是用于一激光加工的制作工艺中。

为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配合所附附图，作详细说明如下：

附图说明

图1绘示本发明实施例的半导体晶片的俯视图。

图2为图1的半导体晶片沿A-A’线所绘制的剖面图。

图3A-3C绘示本发明实施例的半导体晶片进行一激光加工的示意图。

图4A、4B绘示本发明实施例的半导体晶片进行一切割步骤的示意图。