[发明专利]一种三级运算放大器

权利要求书

1.一种三级运算放大器，包括依次相连接的偏置电路、第一级放大电路、第二级放大电路和第三级放大电路，其特征在于，还包括电容倍增模模块，所述电容倍增模块嵌入到第一级放大电路，所述电容倍增模块由电流控制电流源组成。

2.根据权利要求1所述的一种三级运算放大器，其特征在于，所述第一级放大电路包括PMOS管M0、PMOS管M1、PMOS管M2、PMOS管M7、PMOS管M8、NMOS管M3、NMOS管M4、NMOS管M5、NMOS管M6、补偿电容Cm；其中，NMOS管M3、NMOS管M4、补偿电容Cm构成电容倍增模块；

所述第二级放大电路包括PMOS管M9、NMOS管M10；

所述第三级放大电路包括PMOS管M11、NMOS管M12、PMOS管M13和电容Cb；

所述偏置电路包括PMOS管Mb0、PMOS管Mb1、NMOS管Mb2和电流源Ib；

PMOS管M0的源极、PMOS管M7的源极、PMOS管M8的源极、PMOS管M9的源极、PMOS管M11的源极、PMOS管Mb0的源极和PMOS管Mb1的源极均接电源VDD；

PMOS管Mb0的栅极和漏极、PMOS管Mb1的栅极、PMOS管M0的栅极与电流源的正向端连接；

PMOS管M0的漏极与PMOS管M1的源极和PMOS管M2的源极连接，PMOS管M1的栅极为运算放大器的正向输入端，PMOS管M2的栅极为运算放大器的反向输入端；

PMOS管M1的漏极与电容补偿Cm的一端、NMOS管M3的漏极、NMOS管M3的栅极、NMOS管M4的栅极相连；

PMOS管M2的漏极与NMOS管M5的漏极、NMOS管M5的栅极、NMOS管M6的栅极、NMOS管M10的栅极连接；

NMOS管M6的漏极与PMOS管M7的漏极和栅极以及PMOS管M9的栅极连接；

PMOS管M8的漏极与NMOS管M4的漏极、PMOS管M9的栅极相连；

PMOS管M9的漏极与NMOS管M10的漏极连接，PMOS管M11的栅极与电容Cb的一端相连；

电容Cb的另一端与PMOS管M13的栅极和漏极以及NMOS管M12的栅极连接；

PMOS管M13的源极与NMOS管Mb2的栅极和漏极以及PMOS管Mb1的漏极连接；

NMOS管M12的漏极、PMOS管M11的漏极以及补偿电容Cm的另一端连接作为运算放大器的输出端；

电流源的反向端、NMOS管Mb2的源极、NMOS管M3的源极、NMOS管M4的源极、NMOS管M5的源极、NMOS管M6的源极、NMOS管M10的源极和NMOS管M12的源极均接地。