[发明专利]超薄单晶锗片的加工方法

权利要求书

1.一种超薄单晶锗片的加工方法，其特征是它包括以下步骤：

   首先，利用线切割设备从单晶锗棒上切割得到厚度不超过0.5毫米的单晶锗片；

   其次，将单晶锗片装夹到低温抛光机上；

   第三，先采用粒度为10～28μm、莫氏硬度不小于9的硬质磨料冰冻固结磨料抛光盘作为粗加工用抛光头，控制抛光温度在-30～-10℃，抛光压力控制在100～1000g/cm²，采用无水有机溶剂作为抛光液，控制抛光液的流速为100～500ml/min，抛光盘的转速为10～500r/min，得到厚度为0.2～0.3mm单晶锗研磨片；所述的无水有机溶剂抛光液不含任何硬质磨料、流动性好，可以进入抛光工作区域，与抛光过程中摩擦生热产生的液膜混合，降低抛光盘表面冰点，使得冰冻固结磨料抛光盘逐层融化露出下层新鲜磨料，在-30～-10℃获得自锐性；

第四，改用粒度0.06～2μm、莫氏硬度小于9的磨料冰冻固结磨料抛光盘作为精加工用抛光头，对上述厚度为0.2～0.3mm单晶锗研磨片进行二次抛光加工，控制抛光温度在-30～-10℃，抛光压力控制在100～500g/cm²，抛光液为无水有机溶剂，流速为50～500ml/min，抛光转速为10～300r/min，最后得到厚度不超过0.15mm的超薄锗片。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征是所述的抛光液为甲苯、戊烷、环己酮、氯苯、甲醇、乙醇、异丙醇、乙醚、环氧丙烷、醋酸甲酯、丙酮、乙二醇单乙醚或苯酚中的一种或多种的组合。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征是所述的粗加工用抛光头中的硬质磨料为金刚石、刚玉、碳化硅或碳化硼。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征是所述的精加工用抛光头中的硬质磨料为CeO₂或氧化硅。