[发明专利]一种减少OPC修正后验证误报错的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种微电子光学临近修正的技术领域，尤其涉及一种减少光学临近修正(Optical Proximity Correction，简称：OPC)修正后验证误报错的方法。

背景技术

在半导体制造过程中，随着特征尺寸的不断减小和图形复杂程度变得越来越高，OPC技术也不断发展以适应图形成像过程中不断出现的问题。目前应用最为广泛的OPC方法是基于模型的OPC修正方法，其基本原理是通过建立基于特定光刻条件的曝光模型，对原始版图或目标版图进行模拟以得到模拟误差，然后将原始版图按一定的规则进行分段切割，根据模拟误差对片断进行偏移补偿并重新模拟，经过几个回合的模拟和修正和得到模拟结果与目标版图一致的修正后版图。

受到掩模板制作能力的限制以及OPC执行时间的局限，基于模型的OPC修正方法不可避免的存在一些OPC修正弱点或修正错误，如果这些修正弱点不能及时发现就可能导致硅片上的工艺缺陷点，因此OPC修正后的模拟检查验证就被引入到OPC出版流程中，OPC修正后模拟检查验证通过模拟OPC修正后版图并检查模拟结果以确认是否存在潜在的工艺弱点或工艺缺陷，这些模拟验证一般检查包括是否存在桥接和断线，上下层的接触面积是否在工艺许可范围内，模拟图形与目标图形偏差是否在容许范围内等等。

OPC修正后模拟检查验证一般可分为两类，一是模拟OPC修正后版图并检查模拟轮廓的绝对尺寸，查看模拟结果是否存在小于规定尺寸或规格的图形点，这种检查方法能快速的探测到OPC修正是否会造成工艺弱点并且一般很少有错误误报或多报，但是如果原始版图或者目标版图存在问题，或者软件存在漏洞导致OPC修正错误时(比如图形额外增加或消失)，有可能会导致一些错误漏报；第二类是比对模拟结果尺寸和目标版图尺寸的相对比例，当模拟尺寸和目标尺寸的比例偏差超过限定值时即将该图形点报错用以检查，这类方法能够避免第一类方法涉及的很多漏报问题，但是受到一些光刻物理极限的影响等，经常存在一些错误误报或者多报，当错误误报过多时会影响检查的效率。

在实际的模拟检查验证过程中通常会结合上述提及的两种OPC修正后模拟验证方法，一般对于第二类的检查相对偏差方法，为了避免过多的误报，引入了一些过滤方法以减少错误误报。图1为现有的OPC修正后模拟验证的示意图，请参见图1所示。对于图形A区域，OPC修正后模拟与目标图形一致，但是图形B区域处于拐角凹处，受到圆化效应的影响，其模拟尺寸比目标尺寸偏大，越靠近拐角处，偏离值越大，由于这些圆化效应是无法避免的，而且也不会影响器件的性能，一般可以忽略，所以在模拟验证过程中形成排除区域，忽略这一区域的检查；这一忽略检查的范围或区域一般设定一个离拐角的固定值，或者离线端的固定值等，如图1所示L1，在离凹角L1长度范围内的不作模拟验证后检查；图形的拐角圆化问题与很多因素有关，在曝光条件与OPC修正方法确定的情况下，它与图形尺寸，形状和图形密度等有关；当模拟出的拐角圆化离凹角的距离超过设定值L1时，也即R1>L1时。图2为现有的OPC修正后模拟验证误报的示意图，请参见图2所示，由于超过排除区域的图形将会做模拟验证检查，很容易形成报错，因为它是由图形拐角圆化引起的。如果增加L1的大小，将排除区域扩大，或许可以过滤一些误报的图形，但是如果在排除区域内OPC修正存在问题也将以其被忽略，存在一定的风险，因此在实际应用中不会因为误报的存在去直接增加L1的值。

公开号为CN103513506A的中国专利公开了一种光学临近效应修正方法，包括以下步骤：1)制作两块测试光刻版，第一块放置前层图形，所述前层图形为产生形貌或膜层变化的图形；第二块放置后层OPC测试图形；2)按照工艺顺序准备硅片，在没有形貌的硅片上，对第二块光刻版进行涂胶、曝光、显影，收集光刻工艺的关键尺寸的数值，根据收集到的光刻工艺数值建立OPC模型；3)按照工艺顺序准备硅片，在没有形貌的硅片上，对第一块光刻版进行涂胶、曝光、显影，产生前层图形的形貌；4)再对第二块光刻版进行涂胶、曝光、显影，收集光刻工艺的关键尺寸的数值，并根据收集到的光刻工艺关键尺寸的数值，建立选择性偏离算法，表征在不同的区域需要增加的偏离值；5)在没有形貌的区域使用步骤2)建立的OPC；在有形貌的区域，根据步骤4)计算得到的偏离值重新进行OPC修正。