[发明专利]一种磁控溅射装置及方法有效
| 申请号： | 201410102517.1 | 申请日： | 2014-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN103911592A | 公开（公告）日： | 2014-07-09 |
| 发明（设计）人： | 张启平;方旭东;王伟;孙文波 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方显示光源有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 磁控溅射 装置 方法 | ||
1.一种磁控溅射装置，所述装置包括被成膜基板、与所述被成膜基板相对设置的靶材，以及位于所述靶材的与被成膜基板相反的一侧的磁铁组件，其特征在于，所述装置还包括与所述磁铁组件的远离靶材的一端连接的第一驱动结构，用于承载所述磁铁组件，并通过所述第一驱动结构控制所述磁铁组件与所述靶材的相对位置，进而控制由所述磁铁组件产生的、覆盖在靶材表面上的与所述被成膜基板相应的磁场的范围。
2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述磁铁组件包括两个磁铁，所述两个磁铁靠近靶材的一端的极性相反。
3.如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述两个磁铁紧密排列。
4.如权利要求1所述的装置，其特征在于，在通过所述第一驱动结构驱动所述靶材运动的过程中，所述磁铁组件与所述靶材之间的距离保持不变。
5.如权利要求4所述的装置，其特征在于，所述磁铁组件靠近靶材的一端与所述靶材之间的垂直距离为5～8mm。
6.如权利要求1所述的装置，其特征在于，在所述第一驱动结构的驱动下，所述磁铁组件沿所述靶材平面的运动轨迹呈“弓”字型。
7.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置还包括第二驱动结构，用于承载所述被成膜基板，以及通过所述第二驱动结构控制所述被成膜基板与所述磁铁组件的相对位置不变。
8.一种采用权利要求1～7任一权项所述的磁控溅射装置进行磁控溅射的方法，其特征在于，所述方法包括：通过所述第一驱动结构控制所述磁铁组件与所述靶材的相对位置，进而控制由所述磁铁组件产生的、覆盖在靶材表面上的与所述被成膜基板相应的磁场的范围。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述磁铁组件包括两个磁铁，所述两个磁铁靠近靶材的一端的磁极的极性相反。
10.如权利要求8所述的方法，其特征在于，在通过所述第一驱动结构驱动所述靶材运动的过程中，所述磁铁组件与所述靶材之间的距离保持不变。
11.如权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述第一驱动结构的驱动下，所述磁铁组件沿所述靶材平面的运动轨迹呈“弓”字型。
12.如权利要求8所述的方法，其特征在于，当所述磁控溅射装置还包括用于承载所述被成膜基板第二驱动结构时，所述方法还包括：
通过所述第二驱动结构控制所述被成膜基板与所述磁铁组件的相对位置不变，使得覆盖在所述靶材表面上的磁场的覆盖范围与所述被成膜基板相对应。
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