[发明专利]反应腔室和磁控溅射设备

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及反应腔室和磁控溅射设备。

背景技术

在高世代TFT-LCD、OLED等制造行业中，普遍采用立式平面靶材的磁控溅射技术来在玻璃基板上沉积膜层。

图1为现有技术中磁控溅射设备的反应腔室的结构示意图，如图1所示，该磁控溅射设备包括：反应腔室，反应腔室包括一腔体1，在腔体1内的一个侧壁上平行设置有若干个竖直放置的靶材2，且每个靶材2的背面设置有背板，在腔体的顶部设置有若干个进气口3，溅射气体通过进气口3进入到反应腔室内，在反应腔室的底部设置有排气口4，该排气口4与抽气泵连接。

在利用现有技术中的立式磁控溅射设备进行镀膜的过程中，由于进气口位于腔体的顶部，溅射气体需要进过扩散作才能到腔体的底部（充满整个腔体），整个扩散过程较慢，耗费大量时间，从而影响设备的产能。而且，采用现有的通气方式，使得靶材表面的溅射气体浓度常常不均匀，从而造成玻璃基板上成膜不均匀。同时，靶材与背板通过铟贴合，长期溅射会导致靶材表面温度过高，不仅会导致靶材表面状态不稳而且容易使得贴合材料熔融，对生产稳定性产生影响。

发明内容

本发明提供一种反应腔室和磁控溅射设备，可减少溅射气体在腔体内的扩散时间，同时，有效保证了腔体内溅射气体浓度的均匀，使得镀膜的均一性更高。

为实现上述目的，本发明提供一种反应腔室，包括腔体，所述腔体内平行设置有若干个竖直放置的靶材，相邻所述靶材之间设置有进气管道，所述进气管道的一端设置有第一进气口，所述进气管道的管道壁上设置有若干个出气孔，溅射气体从所述第一进气口通入至所述进气管道内，并通过所述出气孔进入到所述腔体内。

可选地，所述进气管道的另一端设置有所述第二进气口，所述溅射气体从所述第一进气口和/或所述第二进气口进入所述进气管道内并通过所述出气孔进入到所述腔体内。

可选地，所述第一进气口靠近所述腔体的顶部；

或者，所述第一进气口靠近所述腔体的底部。

可选地，所述出气孔位于所述管道壁的相对两侧。

可选地，所述进气管道上的全部所述出气孔均匀分布。

可选地，多个所述出气孔形成网状结构。

可选地，还包括：调节阀，所述调节阀与所述出气孔连接以调节所述出气孔的出气流量。

可选地，还包括：加热装置，所述加热装置与所述进气管道连接以对所述进气管道内的溅射气体进行加热。

为实现上述目的，本发明提供一种磁控溅射设备，包括：反应腔室，所述反应腔室采用上述的反应腔室。

本发明具有以下有益效果：

本发明提供一种反应腔室和磁控溅射设备，该反应腔室包括腔体，腔体内平行设置有若干个竖直放置的靶材，相邻靶材之间设置有进气管道，进气管道的一端设置有第一进气口，进气管道的管道壁上设置有若干个出气孔，溅射气体从第一进气口通入进气管道并通过出气孔进入到腔体内，本发明的技术方案通过在相邻靶材之间设置进气管道，且在进气管道的管道壁上设置若干个出气孔，从而使得溅射气体能较快的充满整个腔体，同时，通过上述通气方式可有效保证腔体内溅射气体浓度的均匀，从而使得镀膜的均一性得到提高。

附图说明

图1为现有技术中磁控溅射设备的反应腔室的结构示意图；

图2为本发明实施例一提供的反应腔室的结构示意图；

图3为图2中靶材和进气管道的结构示意图；

图4为图3的A-A向的截面图；

图5为进气管道两端均形成有进气口的示意图；

图6为包含有网状结构的进气管道的结构示意图；

图7为包含有调节阀的进气管道的结构示意图；

图8为靶材上跑道区的示意图；

图9为进气管道外套置了加热装置的示意图。

具体实施方式

为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明提供的反应腔室和磁控溅射设备进行详细描述。

实施例一

图2为本发明实施例一提供的反应腔室的结构示意图，图3为图2中靶材和进气管道的结构示意图，图4为图3的A-A向的截面图，如图2至图4所示，该反应腔室包括：腔体1，腔体1内平行设置有若干个竖直放置的靶材2，相邻靶材2之间设置有进气管道5，进气管道5的一端设置有第一进气口6，进气管道5的管道壁上设置有若干个出气孔7，溅射气体从第一进气口6通入进气管道5内，并通过出气孔7进入到腔体1内。