[发明专利]一种La2Zr2O7过渡层梯度薄膜结构、制备及应用有效

专利信息
申请号: 201410088329.8 申请日: 2014-03-11
公开(公告)号: CN103922738A 公开(公告)日: 2014-07-16
发明(设计)人: 索红莉;任程;刘敏;仪宁;田辉;徐燕 申请(专利权)人: 北京工业大学
主分类号: C04B35/50 分类号: C04B35/50;C04B35/622;B05D1/38;B05D7/14
代理公司: 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 代理人: 张慧
地址: 100124 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 la sub zr 过渡 梯度 薄膜 结构 制备 应用
【说明书】:

技术领域

发明属于高温超导材料制技术领域,具体涉及高温超导涂层导体过渡层的制备技术。

背景技术

由于高温超导材料YBCO具有极强的各向异性,其载流能力对晶格失配极为敏感,大的晶格失配角将会形成弱连接,严重影响其超导性能。因此,需要将YBCO沉积在具有双轴织构的金属基板上。由于YBCO具有陶瓷脆性,近几年来,人们采用多晶韧性NiW金属基带上沉积超导薄膜,使其外延基板织构以获得高取向性的YBCO超导薄膜。

但是由于NiW合金和YBCO超导材料存在一定的晶格失配,此外,NiW合金也会与YBCO有较强的扩散和化学反应,严重影响YBCO层超导性能。因此在NiW合金和超导层中间添加一层或多层过渡层薄膜,起到传递织构和阻隔元素扩散的作用。

然而很难有一种材料能够满足过渡层的所有要求,通常都是几种材料组合到一起作为涂层导体的过渡层结构,目前比较成熟的结构是:CeO2/La2Zr2O7、CeO2/Gd2Zr2O7、CeO2/YSZ/Y2O3等(如图1)。这些过渡层结构包含帽子层(CeO2)、阻隔层(La2Zr2O7、Gd2Zr2O7)、种子层(Y2O3)的两种或三种物质,并且这些物质与Ni、YBCO均有不同程度的错配度。Ni的晶格常数是,La2Zr2O7与之对应的晶格长度为,而YBCO的晶格常数。由于La2Zr2O7的晶格常数大于Ni的晶格常数,种子层的加入是为了使之作为La2Zr2O7的形核中心,提高La2Zr2O7过渡层的织构度。又因CeO2具有高的化学稳定性,与YBCO的错配度较小(仅为-0.12%),有利于YBCO外延生长,而成为沉积YBCO超导层的顶部过渡层。但是多层材料也无法很好地调整Ni与YBCO的错配,起到传递织构的作用;并且,过渡层之间也会发生一定的元素扩散反应,如La2Zr2O7与CeO2,造成织构降低;同时,这些过渡层结构均为多层薄膜,制备过程较复杂,成本较高,且生产效率低,不利于未来大规模商业化的应用。

综上所述,开发单一过渡层材料,并采用成本低廉的化学溶液法制备,是涂层导体材料研究领域的热点和挑战。这将大大简化过渡层的制备过程,提高生产效率,降低制备成本,利于推进涂层导体商业化的进程。

发明内容

本发明的目的在于解决现有涂层导体过渡层制备过程中存在的问题,提供一种工艺简单、高效,且成本低廉的以Ti、Y掺杂的La2Zr2O7为单一基体过渡层的梯度薄膜结构(如图2)。

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