[发明专利]粘合片

说明书

技术领域

本发明涉及粘合片。

背景技术

由硅、镓、砷等形成的半导体晶圆以大直径状态制造，在表面形成图案后磨削背面，通常将晶圆的厚度磨薄至100～600μm左右，进而切割分离（dicing）为元件小片，进一步转移至安装工序。

在磨削半导体晶圆背面的工序（背面磨削工序）中，为了保护半导体晶圆的图案面而使用粘合片。该粘合片通常在背面磨削工序后被剥离。出于这种目的而使用的粘合片需要在背面磨削工序中不会发生剥离的程度的粘合力，另一方面，要求在背面磨削工序后能够容易地剥离，以及不损坏半导体晶圆的程度的低粘合力。为了如此调节粘合力，提出了具有将2种以上的树脂（例如，粘合性树脂和非粘合性树脂）共混而形成的粘合剂层的粘合片（专利文献1）。

但是，将具有由2种以上的树脂形成的粘合剂层的粘合片贴附于半导体晶圆，并将半导体晶圆供于背面磨削工序时，有这样的问题：磨削水和/或磨削屑容易侵入粘合片和半导体晶圆之间，存在污染半导体晶圆的担心。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2012-62406号公报

发明内容

发明要解决的问题

本发明是为了解决上述现有问题而作出的，其目的在于提供一种粘合片，其在贴附于半导体晶圆并供于半导体晶圆的背面磨削工序时，能够防止磨削水和/或磨削屑侵入粘合片和半导体晶圆之间。

用于解决问题的方案

本发明的粘合片具备包含2种以上树脂的粘合剂层，该粘合剂层中，由利用原子力显微镜测定的与被粘物相接触侧的表面的相位图像获得的、以相位差为纵轴（y轴）、以测定距离为横轴（x轴）的第1方向和垂直于该第1方向的第2方向的线轮廓中，第1方向上的相位差的大小（P_1-avg）与第2方向上的相位差的大小（P_2-avg）之比（P_1-avg/P_2-avg）为0.94～1.06。

优选的实施方式中，构成上述粘合剂层的2种以上的树脂分别具有共通的构成单元作为主要构成单元。

发明的效果

根据本发明，能够提供一种粘合片，其在贴附于半导体晶圆并供于半导体晶圆的背面磨削工序时，能够防止磨削水和/或磨削屑侵入粘合片和半导体晶圆之间。

附图说明

图1是本发明的粘合剂层的由基于原子力显微镜的相位图像而得到的线轮廓。

图2是本发明的一个实施方式的粘合片的截面示意图。

附图标记说明

10   粘合剂层

20   中间层

30   基材层

100  粘合片

具体实施方式

A.粘合剂层

本发明的粘合片具备粘合剂层。该粘合剂层包含2种以上的树脂，优选的是包含至少1种以上的粘合性树脂和至少1种以上的非粘合性树脂。若粘合剂层如此包含2种以上的树脂，则变得容易调节树脂的种类和树脂的含有比例来适当控制粘合力和储能模量（G’）。

上述粘合剂层在50℃下熟化2天后，将半导体镜面晶圆（硅制）作为试验板，利用以JIS Z0237（2000）为基准的方法（贴合条件：2kg辊往复1次、剥离速度：300mm/min、剥离角度180°）测定的粘合力优选为0.1N/20mm～3.0N/20mm，进一步优选为0.2N/20mm～2.5N/20mm，特别优选为0.2N/20mm～2.0N/20mm。如果为这种范围，则能够兼顾粘合力和剥离性，能够得到例如在半导体晶圆的背面磨削工序中的磨削加工中不剥离，而在磨削加工后能够容易地剥离的粘合片。