[发明专利]一种亚波长近红外通信光放大器有效
申请号: | 201410080676.6 | 申请日: | 2014-03-06 |
公开(公告)号: | CN104901156B | 公开(公告)日: | 2018-01-30 |
发明(设计)人: | 潘安练;王晓霞;庄秀娟 | 申请(专利权)人: | 湖南大学 |
主分类号: | H01S3/16 | 分类号: | H01S3/16;B82Y30/00 |
代理公司: | 长沙市融智专利事务所43114 | 代理人: | 颜勇 |
地址: | 410082 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 波长 红外 通信 放大器 | ||
1.一种亚波长近红外通信光放大器的制备方法,所述放大器包括单根稀土硅酸盐单晶纳米线、泵浦光源、信号光源、波分复用器、输入光纤、输出光纤;所述稀土硅酸盐单晶纳米线一端与输入光纤的光针相连,另一端与输出光纤的光针相连; 所述稀土硅酸盐单晶纳米线是化学式为(Yb/Er)2Si2O7的稀土硅酸盐单晶纳米线;其特征在于,稀土硅酸盐单晶纳米线的制备方法,包括下述步骤:
将Si粉装入瓷舟1,将YbCl3与ErCl3按质量比1:1~1:10混合均匀后置于2号瓷舟,将带有金颗粒的Si片置于3号瓷舟上;
将带有进气口和出气口的水平管式炉划分为三个温度区间,自进气口至出气口方向依次为T1温度区间、T2温度区间、T3温度区间;
将瓷舟1、瓷舟2、瓷舟3对应放置在T1温度区间、T2温度区间、T3温度区间,抽真空,通入氧气与氩气组成的载气,升温至瓷舟1所在的T1温度区间温度为1050~1200℃,瓷舟2所在的T2温度区间温度为650-700℃,瓷舟3所在的T,3温度区间温度为650-700℃,载气将Si蒸汽、YbCl3蒸汽、ErCl3蒸汽送至带有金颗粒的Si片上反应2-3小时,得到化学式为(Yb/Er)2Si2O7、直径为500~800nm、长度为10~80μm的稀土硅酸盐单晶纳米线,所述氧气与氩气按体积比5-10:90-95组配;或
将SiO2粉装入瓷舟1,将YbCl3与ErCl3按质量比1:1~1:10混合均匀后置于2号瓷舟,将带有金颗粒的Si片置于3号瓷舟上;
将带有进气口和出气口的水平管式炉划分为三个温度区间,自进气口至出气口方向依次为T1温度区间、T2温度区间、T3温度区间;
将瓷舟1、瓷舟2、瓷舟3对应放置在T1温度区间、T2温度区间、T3温度区间,抽真空,通入氢气与氩气组成的载气,升温至瓷舟1所在的T1温度区间温度为1050~1200℃,瓷舟2所在的T2温度区间温度为650-700℃,瓷舟3所在的T,3温度区间温度为650-700℃,载气将SiO2蒸汽、YbCl3蒸汽、ErCl3蒸汽送至带有金颗粒的Si片上反应2-3小时,得到化学式为(Yb/Er)2Si2O7、直径为500~800nm、长度为10~80μm的稀土硅酸盐单晶纳米线;所述氢气与氩气按体积比5-10:90-95组配。
2.根据权利要求1所述的一种亚波长近红外通信光放大器的制备方法,其特征在于:所述金颗粒的粒度为300-1000nm。
3.根据权利要求1所述的一种亚波长近红外通信光放大器的制备方法,其特征在于:所述YbCl3为纯度≥99.9%的无水YbCl3;所述ErCl3为纯度≥99.9%的无水ErCl3;所述Si粉的纯度≥99.99%。
4.根据权利要求1所述的一种亚波长近红外通信光放大器的制备方法,其特征在于:所述YbCl3为纯度≥99.9%的无水YbCl3;所述ErCl3为纯度≥99.9%的无水ErCl3;所述SiO2粉的纯度≥99.99%。
5.根据权利要求1所述的一种亚波长近红外通信光放大器的制备方法,其特征在于:催化沉积反应时,控制沉积压力为300-500mT、载气的流速为40~80sccm。
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