[发明专利]电压调节器有效
申请号: | 201410079006.2 | 申请日: | 2014-03-05 |
公开(公告)号: | CN104035468B | 公开(公告)日: | 2017-11-14 |
发明(设计)人: | 宇都宫文靖 | 申请(专利权)人: | 精工半导体有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 李辉,黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电压 调节器 | ||
技术领域
本发明涉及电压调节器的下冲改善。
背景技术
图3示出以往的电压调节器的电路图。以往的电压调节器由误差放大器110、PMOS晶体管120、201、204、NMOS晶体管202、203、205、电阻231、232、233、234、比较器210、反相器211、偏置电压生成电路212、电源端子100、接地端子101、基准电压端子102以及输出端子103构成。
通过误差放大器110对PMOS晶体管120的栅极进行控制,从输出端子103输出输出电压Vout。输出电压Vout是对用基准电压端子102的电压除以电阻231和电阻232的合计电阻值之后的值乘以电阻232的电阻值而得到的值。当产生下冲时,比较器210对在分压电压Vfb上加上偏置电压生成电路212的电压Vo后的电压与基准电压VREF进行比较,当在分压电压Vfb上加上偏置电压Vo后的电压比基准电压Vref低时,输出高电平。并且,使NMOS晶体管203导通。当输出电流IOUT小于过电流IL时NMOS晶体管202导通,下拉PMOS晶体管120的栅极电压而以输出电压Vout变高的方式进行控制。由此,下冲得到了改善,电压调节器的下冲特性变得良好。(例如,参照专利文献1)。
专利文献1:日本特开2010-152451号公报
然而,在以往的电压调节器中存在如下问题:从下冲产生且使PMOS晶体管120全导通的状态到控制成输出规定的输出电压Vout为止耗费时间。另外,还存在如下问题:在从下冲产生且使PMOS晶体管全导通的状态到控制成规定的输出电压Vout的期间,输出电流过量,从而输出电压Vout上升。
发明内容
本发明是鉴于上述问题而完成的,提供如下的电压调节器:其能够防止在输出电压Vout中产生了下冲后对输出电压Vout的控制比较耗费时间的情况,并且防止由于输出电流过量而导致输出电压Vout上升的情况。
为了解决以往的问题,本发明的电压调节器如下构成。
一种电压调节器,其具有误差放大器和输出晶体管,该电压调节器的特征在于,具有下冲检测电路,该下冲检测电路对以电压调节器的输出电压为基础的电压进行检测,输出与输出电压的下冲量对应的电流,该电压调节器根据该电流使流过输出晶体管的电流增加。
根据本发明的电压调节器,在输出电压中产生了下冲之后,能够快速地将输出电压控制成规定的电压。
附图说明
图1是本实施方式的电压调节器的框图。
图2是本实施方式的电压调节器的电路图。
图3是以往的电压调节器的电路图。
图4是示出本实施方式的电压调节器的另一例子的电路图。
标号说明
100电源端子
101接地端子
102基准电压端子
103输出端子
110误差放大器
130下冲检测电路
135I-V转换电路
具体实施方式
下面,参照附图对本实施方式进行说明。
【实施例】
图1是本实施方式的电压调节器的框图。本实施方式的电压调节器由误差放大器110、PMOS晶体管120、电阻131、132、133、下冲检测电路130、I-V转换电路135、电源端子100、接地端子101、基准电压端子102以及输出端子103构成。PMOS晶体管120作为输出晶体管而工作。图2是本实施方式的电压调节器的电路图。下冲检测电路130由NMOS晶体管113、114构成。I-V转换电路135由PMOS晶体管111和NMOS晶体管112构成。
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