[发明专利]一种面阵型红外探测器的像元等效电路及测试方法有效
申请号: | 201410076965.9 | 申请日: | 2014-03-04 |
公开(公告)号: | CN104897290B | 公开(公告)日: | 2018-07-24 |
发明(设计)人: | 朱磊;陈立颖;孙东昱;薛璐 | 申请(专利权)人: | 中航(重庆)微电子有限公司 |
主分类号: | G01J5/02 | 分类号: | G01J5/02;G01J5/00 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 李仪萍 |
地址: | 401331 重庆*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 面阵型 红外探测器 等效电路 测试 方法 | ||
1.一种面阵型红外探测器的像元等效电路,其特征在于,至少包括:
等效盲像元,用于模拟MEMS盲像元,提供等效对照信号;
等效有效像元,用于模拟MEMS有效像元,提供等效探测信号;
读出电路,用于对所述等效对照信号及等效探测信号进行放大及读出;
所述等效盲像元包括第一MOS管及第一开关,其中,所述第一MOS管的栅极连接第一可调电压,第一极连接电源,所述第一开关连接于所述第一MOS管的第二极及所述读出电路之间;
所述等效有效像元包括第二MOS管及第二开关,其中,所述第二MOS管的栅极连接第二可调电压,第二极接地,所述第二开关连接于所述第二MOS管的第一极及所述读出电路之间。
2.根据权利要求1所述的面阵型红外探测器的像元等效电路,其特征在于:
通过调节所述第一可调电压以调节所述第一MOS管的电阻,实现所述等效盲像元对MEMS盲像元的模拟;
通过调节所述第二可调电压以调节所述第二MOS管的电阻,实现所述等效有效像元对MEMS有效像元的模拟。
3.根据权利要求1所述的面阵型红外探测器的像元等效电路,其特征在于:所述第一开关与第二开关相连后作为所述等效盲像元及等效有效像元的共同输出端与所述读出电路连接。
4.根据权利要求1所述的面阵型红外探测器的像元等效电路,其特征在于:所述第一开关为第一开关MOS管,所述第一开关MOS管通过第一选通信号实现其导通或关断;所述第二开关为第二开关MOS管,所述第二开关MOS管通过第二选通信号实现其导通或关断。
5.一种利用权利要求1~4任意一项所述的面阵型红外探测器的像元等效电路对读出电路的测试方法,其特征在于:包括步骤:
1)通过控制所述第一可调电压实现所述等效盲像元对MEMS盲像元的模拟,输出等效对照信号;同时,通过控制所述第二可调电压实现所述等效有效像元对MEMS有效像元的模拟,输出等效探测信号;
2)对所述等效对照信号及等效探测信号进行积分形成积分电流,并将该积分电流输出至所述读出电路;
3)基于所述积分电流对所述读出电路进行读出测试,以确定对应的读出电路的性能是否达到标准。
6.根据权利要求5所述的利用面阵型红外探测器的像元等效电路对读出电路的测试方法,其特征在于:所述测试方法进行于MEMS盲像元及MEMS有效像元形成之前。
7.根据权利要求5所述的利用面阵型红外探测器的像元等效电路对读出电路的测试方法,其特征在于:
基于所述第一可调电压的等效对照信号的值设定为MEMS盲像元工作时的最小输出值及最大输出值之间;
基于所述第二可调电压的等效探测信号的值设定为MEMS有效像元工作时的最小输出值及最大输出值之间。
8.一种面阵型红外探测器,其特征在于,包括:
MEMS像元阵列,包括多个呈矩形阵列排列的MEMS像元,用于根据温度的变化输出变化的电流信号;
多个等效盲像元,各等效盲像元与各列MEMS像元列对应设置,用于模拟MEMS盲像元,提供等效对照信号;其中,所述等效盲像元包括第一MOS管及第一开关,所述第一MOS管的栅极连接第一可调电压,第一极连接电源,所述第一开关连接于所述第一MOS管的第二极及读出电路阵列之间;
多个等效有效像元,各等效有效像元与各列MEMS像元列对应设置,用于模拟MEMS有效像元,提供等效探测信号;其中,所述等效有效像元包括第二MOS管及第二开关,所述第二MOS管的栅极连接第二可调电压,第二极接地,所述第二开关连接于所述第二MOS管的第一极及读出电路阵列之间;
读出电路阵列,用于对各该MEMS像元输出的电流信号、各该等效盲像元输出的等效对照信号及各该等效有效像元输出的等效探测信号进行放大及读出。
9.根据权利要求8所述的面阵型红外探测器,其特征在于:所述等效盲像元及所述等效有效像元分别设置于各列MEMS像元的上下两侧。
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