[发明专利]12V直流电源照明灯无效
申请号: | 201410040483.8 | 申请日: | 2014-01-27 |
公开(公告)号: | CN103747598A | 公开(公告)日: | 2014-04-23 |
发明(设计)人: | 周云侠 | 申请(专利权)人: | 周云侠 |
主分类号: | H05B37/02 | 分类号: | H05B37/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 233000 安徽省蚌*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 12 直流电源 照明灯 | ||
技术领域
本发明属于应急照明技术领域,涉及一种12V直流电源照明灯。
背景技术
随着人们日常生活水平地不断提高,人们对供电的依赖性越来越高,一旦供电中断,将会给正常的工作、生活和学生学习带来很大的影响或造成一些损失。直流电源日光灯可独立于市电电网之外的照明设备,常用的应急照明设备多用免维护蓄电池作为直流电源。
本发明所述的12V直流电源照明灯适合配用6~8W日光灯,它可以应对供电线短时间停电时应急照明的要求,亦适用于各种小型公共场所的应急照明或消防应急照明,若使用8节1#锰锌干电池,该12V直流电源照明灯照明时间大于120分钟。
以下详细说明本发明所述的12V直流电源照明灯在实施过程中所涉及的相关技术内容。
发明内容
发明目的及有益效果:随着人们日常生活水平地不断提高,人们对供电的依赖性越来越高,一旦供电中断,将会给正常的工作、生活和学生学习带来很大的影响或造成一些损失。直流电源日光灯可独立于市电电网之外的照明设备,常用的应急照明设备多用免维护蓄电池作为直流电源。本发明所述的12V直流电源照明灯适合配用6~8W日光灯,它可以应对供电线短时间停电时应急照明的要求,亦适用于各种小型公共场所的应急照明或消防应急照明。
电路工作原理:在电路初始时,NPN型晶体管VT1发射极驱动增强型场效应管VT2的栅极变高,使增强型场效应管VT2导通。这时变压器T1初级线圈L1表现为一只电感,电流在电感中逐步斜升。当变压器T1、增强型场效应管VT2中通过的电流上升到0.62/Rs安培时,NPN型晶体管VT3将导通。把NPN型晶体管VT1的基极及单向可控硅SCR的控制极电位拉向低电位,导致单向可控硅SCR触发,单向可控硅SCR并迅速驱动增强型场效应管VT2的栅极为零。这时,存储在变压器T1初级线圈L1中的能量互感到向次级线圈L2,使日光灯H受激发而发光。这时单向可控硅SCR仍维持原状,直至变压器T1将其能量全部释放给日光灯H为止。此时变压器T1中产生的反向电流流回到增强型场效应管VT2,导致增强型场效应管VT2的栅级略负,因增强型场效应管VT2有分布电容存在,单向可控硅SCR的阳极因而也变负,单向可控硅SCR截止,增强型场效应管VT2再次导通,开始下一周的振荡。按照实施例中推荐的元件参数,电路振荡频率约为30kHz。
技术方案:12V直流电源照明灯,它包括12V直流电源、振荡电路、场效应管推动电路、升压线圈和日光灯回路,其特征在于:
振荡电路:它由NPN型晶体管VT1、电阻R1、NPN型晶体管VT3和单向可控硅SCR组成,NPN型晶体管VT1的基极接电阻R1的一端和NPN型晶体管VT3的集电极及单向可控硅SCR的控制极,电阻R1的另一端和NPN型晶体管VT1的集电极接电路正极VCC,NPN型晶体管VT1的发射极接单向可控硅SCR的阳极,可单向可控硅SCR的阴极和NPN型晶体管VT3的发射极接电路地GND,NPN型晶体管VT3的基极接增强型N沟道场效应管VT2的源极;
场效应管推动电路:它由增强型N沟道场效应管VT2和变压器T1组成,增强型N沟道场效应管VT2的漏极接变压器T1初级线圈L1的一端,变压器T1初级线圈L1的另一端接电路正极VCC,增强型N沟道场效应管VT2的栅极接NPN型晶体管VT1的发射极,增强型N沟道场效应管VT2的源极通过电阻R2接电路地GND;
升压线圈和日光灯回路:它由变压器T1升压线圈L2、电容C1和日光灯H组成,变压器T1升压线圈L2的一端通过电容C1接日光灯H灯丝的一端,变压器T1升压线圈L2的另一端接日光灯H灯丝的另一端;
12V直流电源的正极与电路正极VCC相连,12V直流电源的负极与电路地GND相连。
附图说明
附图1是本发明提供一个12V直流电源照明灯的实施例电路工作原理图。
具体实施方式
按照附图1所示的12V直流电源照明灯电路工作原理图和附图说明,并按照发明内容所述的各部分电路中元器件之间连接关系,以及实施方式中所述的元器件技术参数要求和电路制作要点进行实施即可实现本发明,以下结合实施例对本发明的相关技术作进一步的描述。
元器件的技术参数及选择要求
VT1、VT3为NPN型晶体管,选用的型号为2SC9013,要求放大倍数β≥150;
VT2为增强型N沟道场效应管,选用的型号为IRFZ22;
SCR为单向可控硅,选用的型号为2N6027;
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