[发明专利]X波段单片功率放大器在审
| 申请号： | 201410040266.9 | 申请日： | 2014-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN103812458A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 张忠祥;陈明生;鲁世斌;范程华;张量;水泉;沈滨翼;靳振龙;许莹莹 | 申请（专利权）人： | 合肥师范学院;安徽易科技术有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/20 | 分类号： | H03F3/20;H03F1/42 |
| 代理公司： | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 | 代理人： | 何梅生;郭华俊 |
| 地址： | 230601 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 波段 单片 功率放大器 | ||
1.X波段单片功率放大器，其特征是，包括单芯片（1），所述单芯片（1）上集成有输入匹配电路（2）、功率分配电路（10）、三级PHEMT管放大器（3）、功率合成电路（11）和输出匹配电路（4）；所述输入匹配电路（2）的输入端与单芯片（1）的外部信号输入端RF-IN相连接，用于接入外部信号输入源；所述输入匹配电路（2）的输出端与所述功率分配电路（10）的输入端相连接，所述功率分配电路（10）的输出端与三级PHEMT管放大器（3）的输入端相连接；所述三级PHEMT管放大器（3）的输出端与所述功率合成电路（11）的输入端相连接；所述所述功率合成电路（11）的输出端与所述输出匹配电路（4）的输入端相连接；所述输出匹配电路（4）的输出端与单片芯片（1）的外部输出端RF-OUT相连接，用于输出放大后的信号。
2.根据权利要求1所述的X波段单片功率放大器，其特征是，所述三级PHEMT管功率放大器包括第一级PHEMT管放大器（3-1）、第二级PHEMT管放大器（3-2）、第三级PHEMT管放大器（3-3）、第一中间级功率分配合成及匹配电路（7）和第二中间级功率分配合成及匹配电路（9）；所述第一级PHEMT管放大器（3-1）的输入端与所述功率分配电路的输出端相连接，所述第一级PHEMT管放大器（3-1）的输出端与所述第一中间级功率分配合成及匹配电路（7）的输入端相连接；所述第一中间级功率分配合成及匹配电路（7）的输出端与所述第二级PHEMT管放大器（3-2）的输入端相连接，所述第二级PHEMT管放大器（3-2）的输出端与第二中间级功率分配合成及匹配电路（9）的输入端相连接；所述第二中间级功率分配合成及匹配电路（9）的输出端与第三级PHEMT管放大器（3-3）的输入端相连接，所述第三级PHEMT管放大器（3-3）的输出端与所述功率合成电路（11）的输入端相连接。
3.根据权利要求2所述的X波段单片功率放大器，其特征是，所述第一级放大器（3-1）包括两个相互并联连接的PHEMT管（5）和两个三级滤波电路（6）；所述第二级PHEMT管放大器（3-2）包括八个相互并联连接的PHEMT管（5）和两个三级滤波电路（6）；所述第三级PHEMT管放大器（3-3）包括十六个相互并联连接的PHEMT管（5）和两个三级滤波电路（6）；所述PHEMT管的栅极和漏极通过三级滤波电路与直流供电端连接；PHEMT管（5）为采用0.25um栅宽的赝电高电子迁移率晶体管PHEMT制作而成；
所述第一级PHEMT管放大器（3-1）、第二级PHEMT管放大器（3-2）和第三级PHEMT管放大器（3-3）的相互并联的PHEMT管（5）的栅极之间连接有电阻，漏极之间也连接有电阻。
4.根据权利要求3所述的X波段单片功率放大器，其特征是，所述电阻为用于降低和阻止奇模振荡的奇模电阻（8）。
5.根据权利要求3所述的X波段单片功率放大器，其特征是，所述三级滤波器（6）为三级RC滤波电路。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥师范学院;安徽易科技术有限公司，未经合肥师范学院;安徽易科技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410040266.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
