[发明专利]用于半导体器件的热阻测试方法

权利要求书

1.一种半导体器件的热阻测试方法，其特征在于包括如下步骤：

1）根据半导体器件的结构，确定主要导热通道，在主要导热通道的外壳表面设置良好接触的恒温平面；

2）给半导体器件加载一定的功率，待所述半导体器件达到热平衡以后，切换为向半导体器件加载测量功率，通过实时测量半导体器件的温敏参数得到测量半导体器件的结温，进而得到半导体器件的瞬态热响应曲线；

3）根据所述瞬态热响应曲线确定半导体器件结到壳的热阻。

2.如权利要求1所述的热阻测试方法，其特征在于：所述半导体器件是批量生产的集成电路产品。

3.如权利要求1所述的热阻测试方法，其特征在于：步骤2）中向半导体器件加载一定功率的步骤如下：向所述半导体器件的衬底的P区和N区分别加载正、负电压，以产生足够大的功率。

4.如权利要求1所述的热阻测试方法，其特征在于：所述温敏参数为半导体器件中PN结组件的正向导通电压。

5.如权利要求4所述的热阻测试方法，其特征在于：步骤2）中测量半导体器件的结温的方法如下：测量半导体器件中的PN结组件的正向导通电压，通过其K系数换算得到半导体器件的结温。

6.如权利要求5所述的热阻测试方法，其特征在于：所述K系数可通过恒温槽测量得到。

7.如权利要求4或5所述的热阻测试方法，其特征在于：所述PN结组件是半导体器件中专门设置的温敏二极管。

8.如权利要求4或5所述的热阻测试方法，其特征在于：所述PN结组件选择如下组中的一个或多个：半导体器件衬底的隔离二极管，输出控向二极管，ESD保护二极管，以及衬底的N区和P区构成的二极管结构。

9.如权利要求1所述的热阻测试方法，其特征在于：所述瞬态热响应曲线是半导体器件在降温或加热过程的瞬态热响应曲线。

10.如权利要求1所述的热阻测试方法，其特征在于：步骤3）根据所述瞬态热响应曲线确定半导体器件结到壳的热阻的方法如下：在被测的半导体器件与恒温平面的接触界面上施加导热胶和不施加导热胶的两种情况下，分别测试半导体器件的瞬态热响应曲线，根据两种情况下瞬态热响应曲线的不同，确定结到壳的热阻。