[发明专利]一种PVDF基有机铁电聚合物超晶格制备方法无效
申请号: | 201410020895.5 | 申请日: | 2014-01-17 |
公开(公告)号: | CN103848997A | 公开(公告)日: | 2014-06-11 |
发明(设计)人: | 王建禄;赵晓林;孟祥建;韩莉;孙硕;沈宏;孙璟兰;褚君浩 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海技术物理研究所 |
主分类号: | C08J7/00 | 分类号: | C08J7/00;C08L27/16;H01L51/00 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人: | 郭英 |
地址: | 200083 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 pvdf 有机 聚合物 晶格 制备 方法 | ||
1.一种PVDF基有机铁电聚合物超晶格制备方法,其特征包括以下步骤:
(1)将衬底材料清洗干净保证其表面的平整度,并做表面疏水处理;
(2)将不同PVDF基有机铁电聚合物溶液滴均匀铺入朗缪尔-布罗基特设备已经注入静置超纯水的液体槽中,待PVDF基有机铁电聚合物均匀分布在液面,并通过挤压成膜的液面,通过控制液面表面压力使薄膜成膜连续;
(3)将连续薄膜通过水平转移朗缪尔-布罗基特方法转移至衬底上,通过交替转移不同PVDF基有机铁电聚合物薄膜,重复一定周期,并将生长的交替薄膜经过退火处理,薄膜的退火温度为110-135℃,维持4小时后,冷却至室温,便形成PVDF基有机铁电聚合物超晶格结构。
2.根据权利要求1所述的一种PVDF基有机铁电聚合物超晶格制备方法,其特征在于,步骤(1)中所述的衬底材料为石英玻璃,氧化物单晶,硅基片或有机薄膜材料,衬底的表面粗糙度低于3纳米。
3.根据权利要求1所述的一种PVDF基有机铁电聚合物超晶格制备方法,其特征在于,步骤(2)中所述的PVDF基有机铁电聚合物为聚偏氟乙烯单聚物,聚偏氟乙烯-三氟乙烯共聚物或聚偏氟乙烯-三氟乙烯-氯氟乙烯三聚物。
4.根据权利要求1所述的一种PVDF基有机铁电聚合物超晶格制备方法,其特征在于,步骤(2)中所述的PVDF基有机铁电聚合物溶液的溶剂为二甲基亚砜,其溶液浓度的质量百分含量为0.01%。
5.根据权利要求1所述的一种PVDF基有机铁电聚合物超晶格制备方法,其特征在于,步骤(2)中所述的超纯水的电阻为18.2兆欧姆,液面表面压控制在5毫牛顿每米。
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