[发明专利]通过高压放电打碎和/或弱化材料的方法在审
申请号: | 201380080464.1 | 申请日: | 2013-10-25 |
公开(公告)号: | CN105764614A | 公开(公告)日: | 2016-07-13 |
发明(设计)人: | H·吉泽;F·冯德尔魏德;H·阿尔奎斯特让纳雷;K·P·万德尔维艾林;R·弥勒-西伯特;A·维 | 申请(专利权)人: | 泽尔弗拉格股份公司 |
主分类号: | B02C19/18 | 分类号: | B02C19/18 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 曹瑾 |
地址: | 瑞士凯*** | 国省代码: | 瑞士;CH |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 通过 高压 放电 打碎 弱化 材料 方法 | ||
1.一种通过高压放电打碎和/或弱化材料的方法,所述材料尤其是岩石或矿石,包括步骤:
a)在布置成相对于彼此有一定距离的至少两个电极之间提供处理区,所述处理区充满处理流体;
b)将要被打碎和/或弱化的材料馈送通过处理区;
c)在将要被打碎和/或弱化的材料馈送通过处理区的同时在所述至少两个电极之间生成高压放电,以用于打碎和/或弱化材料;
d)在将要被打碎和/或弱化的材料馈送通过处理区的同时和在所述至少两个电极之间生成高压放电的同时,将处理流体馈送到处理区中并从处理区中排出处理流体;
e)确定处理区中或处理区附近的处理流体或者从处理区排出的处理流体的浊度
或者确定馈送到处理区中的处理流体与从处理区排出的处理流体的浊度差;
f)比较所确定的浊度与用于浊度的参照值或者所确定的浊度差与用于浊度差的参照值;以及
g)依赖于检测到的所确定的浊度与用于浊度的参照值的偏差或者所确定的浊度差与用于浊度差的参照值的偏差,以这样一种方式改变高压放电的生成和/或材料通过处理区的馈送,使得当随后步骤e)和f)被重复时,检测不到偏差或者检测到的偏差更小。
2.如权利要求1所述的方法,其中使用预先确定的参照值,并且其中,对于参照值的预先确定,所述至少两个电极之间高压放电的生成以及要被打碎和/或弱化的材料通过处理区的馈送以这样一种方式被调节,使得离开处理区的打碎和/或弱化的材料分别具有期望的打碎或弱化程度,并且其中,在这种操作状态下,浊度或浊度差被确定并且随后被用作参照值。
3.如前面权利要求之一所述的方法,其中浊度或浊度差的确定,所确定的浊度或所确定的浊度差与参照值的比较,以及高压放电的生成和/或材料通过处理区的馈送依赖于检测到的偏差的可能改变被持续地执行,尤其是以自动化的方式执行,使得在预期的操作中,浊度或浊度差被保持在基本对应于参照值或落在参照值周围的某个散布度之内的水平。
4.如前面权利要求之一所述的方法,其中被馈送到处理区中的处理流体无混浊或具有基本恒定的浊度。
5.一种通过高压放电打碎和/或弱化材料的方法,所述材料尤其是岩石或矿石,所述方法尤其是如前面权利要求之一所述的方法,包括步骤:
a)在布置成相对于彼此有一定距离的至少两个电极之间提供处理区,所述处理区充满处理流体;
b)将要被打碎和/或弱化的材料馈送通过处理区;
c)在将要被打碎和/或弱化的材料馈送通过处理区的同时在所述至少两个电极之间生成高压放电,以用于打碎和/或弱化材料;
d)在将要被打碎和/或弱化的材料馈送通过处理区的同时和在所述至少两个电极之间生成高压放电的同时,将处理流体馈送到处理区中并从处理区中排出处理流体;
e)确定在高压放电发生之前所述至少两个电极当中至少两个之间、所述至少两个电极当中至少一个与至少一个辅助电极之间或者至少两个辅助电极之间的电阻;
f)比较所确定的电阻与用于所述电阻的参照值;以及
g)依赖于检测到的所确定的电阻与参照值的偏差以这样一种方式改变材料通过处理区的馈送、所述至少两个电极之间高压放电的生成、所述至少两个电极之间的距离和/或处理流体到处理区中的馈送和从处理区中的排出,使得当随后步骤e)和f)被重复时,检测不到偏差或者检测到的偏差更小。
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