[发明专利]二次电池及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201380078839.0 申请日: 2013-12-10
公开(公告)号: CN105453329B 公开(公告)日: 2019-05-28
发明(设计)人: 佐藤哲也 申请(专利权)人: NEC能源元器件株式会社
主分类号: H01M10/0585 分类号: H01M10/0585;H01M4/02;H01M4/04;H01M4/13;H01M4/139;H01M10/04
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 闫晔
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 二次电池 集电器 正电极 活性材料 电池电极组件 负电极 平坦 薄层 隔板 恒定 高可靠性 交替堆叠 绝缘材料 短路 形变 高电 减小 制造 应用
【权利要求书】:

1.一种二次电池,包括电池电极组件,所述电池电极组件包括借助隔板交替堆叠的正电极和负电极,其中:

所述正电极和所述负电极均包括集电器和涂覆到所述集电器的活性材料;

位于所述正电极的所述集电器的一个表面上的活性材料实质上由大厚度部分和位于关于所述大厚度部分的端部侧的小厚度部分组成,所述小厚度部分的厚度小于所述大厚度部分的厚度;

位于所述正电极的所述集电器的另一表面上的所述活性材料的一部分实质上由平坦部分组成,所述一部分隔着所述集电器与位于所述一个表面上的所述活性材料的所述小厚度部分面对;以及

其中绝缘材料设置成使得:所述绝缘材料覆盖所述正电极中已经涂覆了所述活性材料的涂覆部分和没有涂覆所述活性材料的未涂覆部分之间的边界部分;以及所述绝缘材料的一个端部位于所述活性材料的所述小厚度部分上,所述活性材料位于所述正电极的所述集电器的所述一个表面上;

其中位于所述正电极的所述集电器的所述另一表面上的所述活性材料仅包括所述平坦部分。

2.根据权利要求1所述的二次电池,其中位于所述正电极的所述集电器的所述一个表面上的所述活性材料的所述大厚度部分和所述小厚度部分之间的厚度差等于或大于所述绝缘材料的厚度。

3.根据权利要求2所述的二次电池,其中所述绝缘材料设置在所述正电极的所述集电器的相对表面中的每一个表面上,以及位于所述正电极的所述集电器的所述一个表面上的所述活性材料的所述大厚度部分和所述小厚度部分之间的所述厚度差不小于所述绝缘材料的厚度的两倍。

4.根据权利要求1所述的二次电池,其中所述绝缘材料的厚度、所述正电极的所述集电器的所述一个表面上的所述活性材料的布置有所述绝缘材料的一部分的厚度、以及所述负电极的所述活性材料的隔着所述隔板与所述绝缘材料面对的一部分的厚度的总和等于或小于所述正电极的所述活性材料的所述大厚度部分的所述厚度和所述负电极的所述活性材料的隔着所述隔板与所述正电极的所述活性材料的所述大厚度部分面对的部分的厚度的总和。

5.根据权利要求1所述的二次电池,其中位于所述正电极的所述集电器的所述一个表面上的所述活性材料的所述小厚度部分包括以下各项中的至少一个:薄层部分、厚度连续减小的倾斜部分和厚度间歇减小的阶梯部分。

6.根据权利要求1所述的二次电池,其中:

位于所述负电极的所述集电器的一个表面上的活性材料实质上由大厚度部分和小厚度部分组成,所述小厚度部分的厚度小于所述大厚度部分的厚度;以及

位于所述负电极的所述集电器的另一表面上的所述活性材料的一部分实质上由平坦部分组成,所述部分隔着所述集电器与位于所述一个表面上的所述活性材料的所述小厚度部分面对。

7.根据权利要求6所述的二次电池,其中位于所述负电极的所述集电器的所述一个表面上的所述活性材料的所述小厚度部分隔着所述隔板与位于所述正电极的所述活性材料上的绝缘材料面对。

8.一种二次电池制造方法,包括以下步骤:通过向正电极集电器的相对表面中的每一个表面涂覆正电极活性材料来形成正电极;通过向负电极集电器的相对表面中的每一个表面涂覆负电极活性材料来形成负电极;以及借助隔板交替堆叠所述正电极和所述负电极,

其中形成正电极的所述步骤包括:向所述正电极集电器的表面涂覆正电极活性材料层,以形成实质上只由平坦部分组成的正电极活性材料层,以及然后向与形成有实质上只由所述平坦部分组成的所述正电极的活性材料的所述表面相反的一侧的表面涂覆正电极活性材料层,以形成实质上由大厚度部分和厚度小于所述大厚度部分的厚度的小厚度部分组成的正电极活性材料层;

其中位于所述正电极的所述集电器的所述表面上的所述活性材料仅包括所述平坦部分。

9.根据权利要求8所述的二次电池制造方法,还包括以下步骤:将绝缘材料布置为覆盖所述正电极中已经涂覆了所述正电极活性材料的涂覆部分和没有涂覆所述正电极活性材料的未涂覆部分之间的边界部分。

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