[发明专利]装置和形成装置的方法有效

专利信息
申请号: 201380069106.0 申请日: 2013-10-31
公开(公告)号: CN104885262B 公开(公告)日: 2019-04-05
发明(设计)人: 马姆杜·阿卜杜勒萨拉姆;法兹尔·库沃;威廉·麦克林 申请(专利权)人: 奈克松有限公司
主分类号: H01M4/133 分类号: H01M4/133;H01M4/134;H01M4/1393;H01M4/1395;H01M4/36;H01M4/38;H01M4/587;H01M4/62
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 牛海军
地址: 英国*** 国省代码: 英国;GB
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摘要:
搜索关键词: 装置 形成 方法
【权利要求书】:

1.一种多层电极,所述多层电极依次包括集电体、第一复合电极层和第二复合电极层,每个复合电极层包含适合在金属离子电池中用作活性材料的粒子材料以及粘合剂,其中第一复合电极层的活性材料的主要组分,在随后的权利要求中称之为第一主要活性组分,是活性炭,并且第二复合电极层的活性材料的主要组分,在随后的权利要求中称之为第二主要活性组分,是硅,

其中第一复合电极层的粘合剂是PVDF、聚酰亚胺或其混合物,并且第二复合电极层的粘合剂是PAA或其盐、羧甲基纤维素或其盐、苯乙烯-丁二烯橡胶或它们的二元或三元混合物。

2.根据权利要求1所述的多层电极,所述多层电极包括在第一复合电极层和第二复合电极层之间的界面。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的多层电极,其中每个复合电极层包括一个或多个子层。

4.根据权利要求3所述的多层电极,其中第一复合电极层包括位于集电体的区域的一个或多个下子层。

5.根据权利要求3所述的多层电极,其中第一复合电极层包括在第一复合电极层和第二复合电极层之间的界面的区域的一个或多个上子层。

6.根据权利要求3所述的多层电极,其中第二复合电极层包括在所述界面的区域的下表面以及远离所述界面的上表面。

7.根据权利要求3所述的多层电极,其中第二复合电极层包括在第一复合电极层和第二复合电极层之间的界面的区域的一个或多个下子层。

8.根据权利要求3所述的多层电极,其中第二复合电极层包括在第二复合电极层的上表面的区域的一个或多个上子层。

9.根据权利要求3所述的多层电极,其中一个子层的主要活性组分的浓度不同于在所述多层电极的每个复合电极层内的相邻子层中的主要活性组分的浓度。

10.根据权利要求3所述的多层电极,其中第一主要活性组分的浓度在垂直于集电体的方向上从集电体至第二复合电极层的界面减小。

11.根据权利要求3所述的多层电极,其中第二主要活性组分的浓度在垂直于集电体的方向上从第一复合电极层的界面至第二复合电极层的上表面增加。

12.根据权利要求3所述的多层电极,其中一个子层内的粘合剂的组成不同于在所述多层电极的层中的相邻子层内的粘合剂的组成。

13.根据权利要求3所述的多层电极,其中第一复合电极层的孔隙率不同于第二复合电极层的孔隙率。

14.根据权利要求3所述的多层电极,其中第一复合电极层的孔隙率小于第二复合电极层的孔隙率。

15.根据权利要求3所述的多层电极,其中第一复合电极层的孔隙率大于5体积%。

16.根据权利要求3所述的多层电极,其中第一复合电极层的孔隙率小于30体积%。

17.根据权利要求3所述的多层电极,其中第一复合电极层的孔隙率为20到25体积%。

18.根据权利要求3所述的多层电极,其中第二复合电极层的孔隙率大于20体积%。

19.根据权利要求3所述的多层电极,其中第二复合电极层的孔隙率小于80体积%。

20.根据权利要求3所述的多层电极,其中第二复合电极层的孔隙率为30到70体积%。

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