[发明专利]用来自非活跃接收机的LO信号来进行接收机校准在审
申请号: | 201380065933.2 | 申请日: | 2013-12-17 |
公开(公告)号: | CN104885371A | 公开(公告)日: | 2015-09-02 |
发明(设计)人: | U·C·费尔南多;L-C·常;V·K·切拉帕;F·波苏;K·胡姆纳巴卡;G·S·萨霍塔 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | H04B1/12 | 分类号: | H04B1/12 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 亓云 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用来 活跃 接收机 lo 信号 进行 校准 | ||
1.一种装置,包括:
第一本地振荡器(LO)发生器,其能被配置成生成被第一接收机用来进行下变频的第一LO信号;以及
第二LO发生器,其能被配置成生成被第二接收机用来在第一操作模式中进行下变频以及用于在第二操作模式中生成针对所述第一接收机的测试信号的第二LO信号。
2.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述第二LO发生器能被配置成生成用于在所述第二操作模式的第一配置中生成针对所述第一接收机的所述测试信号的所述第二LO信号,并且所述第一LO发生器能被配置成生成用于在所述第二操作模式的第二配置中生成针对所述第二接收机的第二测试信号的所述第一LO信号。
3.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述第一接收机能被配置成对至少一个载波的第一集合执行下变频,并且所述第二接收机能被配置成对至少一个载波的第二集合执行下变频。
4.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述第二接收机是针对发射机的反馈接收机,并且所述第二LO信号经由前端电路被提供给所述第一接收机。
5.如权利要求1所述的装置,其特征在于,进一步包括:
开关,其能被配置成接收调制信号和所述第二LO信号并且基于所述调制信号来提供具有振幅调制的所述测试信号。
6.如权利要求1所述的装置,其特征在于,进一步包括:
第一低噪声放大器(LNA),其能被配置成接收第一输入射频(RF)信号并将第一经放大RF信号提供给所述第一接收机;
第二LNA,其能被配置成接收第二输入RF信号并将第二经放大RF信号提供给所述第二接收机;以及
开关,所述开关耦合在所述第一和第二LNA之间并且能被配置成在所述第二操作模式中传递所述测试信号。
7.如权利要求6所述的装置,其特征在于,所述开关包括:
耦合在所述第一和第二LNA之间的晶体管。
8.如权利要求6所述的装置,其特征在于,所述开关包括:
耦合在所述第一LNA和中间节点之间的第一晶体管;
耦合在所述中间节点和所述第二LNA之间的第二晶体管;以及
耦合在所述中间节点与电路接地之间的第三晶体管。
9.如权利要求1所述的装置,其特征在于,进一步包括:
低噪声放大器(LNA),包括:
能被配置成接收并放大输入射频(RF)信号的增益电路;
第一共源共栅晶体管,其耦合至所述增益电路并且能被配置成将第一经放大RF信号提供给所述第一接收机;以及
第二共源共栅晶体管,其耦合至所述增益电路并且能被配置成将第二经放大RF信号提供给所述第二接收机,所述第一和第二共源共栅晶体管被导通以在所述第二操作模式中将所述测试信号传递给所述第一接收机。
10.如权利要求9所述的装置,其特征在于,所述LNA进一步包括:
能被配置成接收并放大第二输入RF信号的第二增益电路;
第三共源共栅晶体管,其耦合至所述第二增益电路并且能被配置成将第三经放大RF信号提供给所述第一接收机;以及
第四共源共栅晶体管,其耦合至所述第二增益电路并且能被配置成将第四经放大RF信号提供给所述第二接收机。
11.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述第二接收机包括:
混频器,其能被配置成在所述第一操作模式中用所述第二LO信号来对输入射频(RF)信号进行下变频,并且在所述第二操作模式中用所述第二LO信号来对直流(DC)电压进行上变频以获取用于生成所述测试信号的中间LO信号。
12.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述第一LO发生器能被配置成生成处于第一频率的所述第一LO信号,并且所述第二LO发生器能被配置成生成处于第二频率的所述第二LO信号,所述第二频率离所述第一频率小于系统带宽的一半。
13.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述第一LO发生器能被配置成生成处于第一频率的所述第一LO信号,并且所述第二LO发生器能被配置成生成处于第二频率的所述第二LO信号,所述第二频率离所述第一频率大于系统带宽的一半。
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