[发明专利]反激式转换器电路

权利要求书

1.一种反激式转换器电路，包括可构成反激式转换器的：

-变压器(103,203)，其具有初级绕组和次级绕组，每个绕组均具有绕组起点和绕组终点，

-充电电容器(107,207)，

-二极管(106,206)，

-半导体开关(120,220)和

-控制器(116,216)，

其中，所述控制器(116,216)设计为在所述反激式转换器启动之后来控制所述半导体开关(120,220)，

其特征在于，

设置启动晶体管(104,204)，所述启动晶体管通过其栅极端子耦接于所述变压器(103,203)的次级绕组的绕组起点，并通过其漏极端子连接于所述变压器(103,203)的初级绕组的绕组终点，其中振荡器至少由所述变压器(103,203)和所述启动晶体管(104,204)构成，

所述充电电容器(107,207)为所述控制器(116,216)供应能量，并且所述二极管(106,206)设置在所述变压器(103,203)次级绕组的绕组起点与所述充电电容器(107,207)之间，其中所述二极管(106,206)的阳极连接至所述充电电容器(107,207)。

2.根据权利要求1所述的反激式转换器电路，其特征在于，所述充电电容器(107,207)的第二侧位于输入电压的负电位或正电位上。

3.根据权利要求1或2所述的反激式转换器电路，其特征在于，第二半导体开关(105)设置为将所述启动晶体管(104)的源极端子与所述输入电压的负电位隔离。

4.根据权利要求1或2所述的反激式转换器电路，其特征在于，第二半导体开关(222)设置为将所述启动晶体管(204)切换至高阻抗状态。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的反激式转换器电路，其特征在于，设置比较器(111,211)以检测足够用于所述控制器(116,216)操作的电压，从而控制所述反激式转换器的半导体开关(120,220)。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的反激式转换器电路，其特征在于，所述变压器(103,203)初级绕组的绕组起点是可连接到电压源(101,201)的正电位上的。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的反激式转换器电路，其特征在于，所述变压器(103,203)具有至少为1:10的绕组比率，优选为1:100。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的反激式转换器电路，其特征在于，所述启动晶体管(104,204)设计为耗尽型n-MOSFET、普通n-MOSFET或JFET。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的反激式转换器电路，其特征在于，设置控制电容器(118,218)和控制二极管(119,219)，用于由所述控制器(116,216)对所述半导体开关(120,220)的控制，

所述控制电容器(118,218)以一侧耦接到所述控制器(116,216)上并以另一侧连接到所述控二极管(119,219)的阴极上，

所述控制二极管(119,219)的阴极和所述控制电容器(118,218)的第二侧均连接到所述半导体开关(120,220)的栅极上。

10.根据权利要求9所述的反激式转换器电路，其特征在于，所述控制二极管(119,219)的阳极连接到输入电压的负电位上。