[发明专利]多模式滤波器

权利要求书

1.一种多模式腔体滤波器，包括：

介电谐振器主体，其合并了一块介电材料，该块介电材料具有这样的形状使得它可以至少支持第一谐振模式和第二基本上退化的谐振模式；和

耦合结构，其包括耦合到共同输入或者输出连接的第一耦合部分和第二耦合部分，所述第一耦合部分被布置成生成第一磁场以用于耦合到介电谐振器主体内的第一谐振模式和第二谐振模式中的至少之一，所述第二耦合部分被布置成生成第二磁场以用于耦合到介电谐振器主体内的第一谐振模式和第二谐振模式中的至少之一，所述第二磁场具有的大小和方向使得部分地抵消由于第一磁场而引起的耦合。

2.根据权利要求1的多模式腔体滤波器，其中在第一耦合部分中的瞬时电流流动在与第二耦合部分中的瞬时电流流动相反的方向上通过。

3.根据权利要求1的多模式腔体滤波器，其中第一耦合部分包括被布置成邻近于介电谐振器主体的表面的第一导电轨，并且其中第二耦合部分包括被布置成邻近于介电谐振器主体的表面的第二导电轨。

4.根据权利要求3的多模式腔体滤波器，其中第一和第二导电轨包括相同导电轨的不同部分。

5.根据权利要求3的多模式腔体滤波器，其中第一和第二导电轨自彼此分离。

6.根据权利要求5的多模式腔体滤波器，其中第一导电轨被布置在谐振器主体的第一面上，并且第二导电轨被布置在谐振器主体的第二面上。

7.根据权利要求3的多模式腔体滤波器，其中第一和第二导电轨在相反方向上延伸。

8.根据权利要求3的多模式腔体滤波器，其中第一和第二导电轨具有不同的长度。

9.根据权利要求3的多模式腔体滤波器，其中第一和第二导电轨具有不同的宽度。

10.根据权利要求1的多模式腔体滤波器，其中谐振器主体基本上以导电层被覆盖，所述导电层包括至少一个孔隙，所述耦合结构被布置在所述孔隙中。

11.根据权利要求10的多模式腔体滤波器，其中第一和第二导电轨具有相应的第一和第二开路端，其中第一开路端被定位在离孔隙的边缘第一距离处，并且其中第二开路端被定位在离孔隙的边缘第二、不同距离处。

12.根据权利要求1的多模式腔体滤波器，其中介电谐振器主体包括耦合结构被布置在其中的至少一个平的面，并且其中第一耦合部分比第二耦合部分更接近于所述面的中心。

13.根据权利要求3的多模式腔体滤波器，其中耦合结构包括导电轨，其至少分叉成第一和第二臂，第一臂包括第一导电轨，并且第二臂包括第二导电轨。

14.根据权利要求3的多模式腔体滤波器，其中第一和第二导电轨被布置成与彼此串联。

15.根据权利要求14的多模式腔体滤波器，其中对于相对应于第一或第二谐振模式的波长而言，第一导电轨具有等于四分之一波长的长度，并且其中第二导电长度具有等于半波长的长度。

16.根据权利要求1的多模式腔体滤波器，其中第一和第二磁场是用于主要耦合到介电谐振器主体内的第一谐振模式，并且其中耦合结构还包括耦合到共同输入或者输出连接的第三耦合部分和第四耦合部分，所述第三耦合部分被布置成生成第三磁场以用于主要耦合到介电谐振器主体内的第二谐振模式，所述第四耦合部分被布置成生成第四磁场以用于主要耦合到介电谐振器主体内的第二谐振模式，所述第四磁场具有的大小和方向使得部分地抵消由于第三磁场而引起的耦合。

17.根据权利要求1的多模式腔体滤波器，其中第一和第二磁场是用于主要耦合到介电谐振器主体内的第一谐振模式，其中第一耦合部分还被布置成生成第一电场以用于耦合到介电谐振器主体内的第二谐振模式，第二耦合部分被布置成生成第二电场以用于耦合到介电谐振器主体内的第二谐振模式，所述第二电场具有的大小和方向使得部分地抵消由于第一电场而引起的耦合。