[发明专利]离子传导膜

权利要求书

1.离子传导膜，其包括：(i)第一离子传导层，其包含一种或多种第一离子传导聚合物；和(ii)隔离层，其包含石墨烯基小片，其中该离子传导膜的总厚度是5-200μm，该隔离层的厚度是1nm-1μm，和其中该隔离层是富含石墨烯的层，其中该层的至少80％由该石墨烯基小片组成。

2.根据权利要求1所述的离子传导膜，其中该隔离层由该石墨烯基小片组成。

3.根据权利要求1所述的离子传导膜，其中该隔离层包含除该石墨烯基小片之外的第二组分。

4.根据权利要求3所述的离子传导膜，其中该第二组分选自水、含水电解质或离聚物。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的离子传导膜，其中该石墨烯基小片的x:y长宽比是0.1-10，x:z长宽比是至少10，和y:z长宽比是至少10。

6.根据权利要求1-4中任一项所述的离子传导膜，其中该石墨烯基小片选自氧化石墨烯、磺化的氧化石墨烯、硫化石墨烯、氢氧化石墨烯、石墨烯碳酸酯和氮化石墨烯。

7.根据权利要求5所述的离子传导膜，其中该石墨烯基小片选自氧化石墨烯、磺化的氧化石墨烯、硫化石墨烯、氢氧化石墨烯、石墨烯碳酸酯和氮化石墨烯。

8.根据权利要求6所述的离子传导膜，其中该石墨烯基小片是氧化石墨烯。

9.根据权利要求7所述的离子传导膜，其中该石墨烯基小片是氧化石墨烯。

10.根据权利要求1-4中任一项所述的离子传导膜，其进一步包括第二离子传导层，该层包含一种或多种第二离子传导聚合物，其中该第二离子传导层施用到该隔离层不与该第一离子传导层接触的面上。

11.根据权利要求5所述的离子传导膜，其进一步包括第二离子传导层，该层包含一种或多种第二离子传导聚合物，其中该第二离子传导层施用到该隔离层不与该第一离子传导层接触的面上。

12.根据权利要求6所述的离子传导膜，其进一步包括第二离子传导层，该层包含一种或多种第二离子传导聚合物，其中该第二离子传导层施用到该隔离层不与该第一离子传导层接触的面上。

13.根据权利要求7所述的离子传导膜，其进一步包括第二离子传导层，该层包含一种或多种第二离子传导聚合物，其中该第二离子传导层施用到该隔离层不与该第一离子传导层接触的面上。

14.根据权利要求8所述的离子传导膜，其进一步包括第二离子传导层，该层包含一种或多种第二离子传导聚合物，其中该第二离子传导层施用到该隔离层不与该第一离子传导层接触的面上。

15.根据权利要求9所述的离子传导膜，其进一步包括第二离子传导层，该层包含一种或多种第二离子传导聚合物，其中该第二离子传导层施用到该隔离层不与该第一离子传导层接触的面上。

16.催化剂涂覆的离子传导膜，其包括根据权利要求1-15中任一项所述的离子传导膜，和沉积在该离子传导膜的至少一侧上的电催化剂层。

17.根据权利要求16所述的催化剂涂覆的离子传导膜，其中电催化剂层沉积在该离子传导膜的两侧上。

18.膜电极组件，其包括根据权利要求1-15中任一项所述的离子传导膜。

19.膜电极组件，其包括根据权利要求16和17中任一项所述的催化剂涂覆的离子传导膜。