[发明专利]高分子化合物的制造方法及高分子化合物

说明书

本发明的高分子化合物的制造方法包括下述工序(a)、(b)。工序(a)：在酸催化剂或碱催化剂的存在下得到高分子化合物的工序。工序(b)：使工序(a)所得到的含有高分子化合物的溶液接触阴离子交换树脂和阳离子交换树脂的混合树脂的工序。

技术领域

本发明涉及高分子化合物的制造方法及高分子化合物。

本申请以2012年6月26日在日本提出申请的特愿2012-142968号和2012年12月3日在日本提出申请的特愿2012-264381号为基础主张优先权，在此引用其内容。

背景技术

在半导体元件、液晶元件等的制造工序中，在基板上形成抗蚀剂膜，曝光该抗蚀剂膜，显影，形成抗蚀剂图案。

近年来，由于光刻技术的进步，抗蚀剂图案的微细化在急速进行。作为微细化的手法，有照射光的短波长化。具体地，照射光可从g线(波长：438nm)和i线(波长：365nm)朝着波长300nm以下的DUV(Deep Ultra Violet，深紫外光)短波长化。现在，KrF准分子激光(波长：248nm)光刻技术和ArF准分子激光(波长：193nm)光刻技术正被引入。

此外，关于更短波长的EUV(波长：13.5nm)的光刻技术也在被研究。此外，关于电子束光刻技术、在水等液体中进行曝光的浸液光刻技术也在被努力研究。

在光刻工序中，除上述的抗蚀剂膜之外，正在使用防反射膜、间隙填充膜、外涂层膜等种种的薄膜。这些膜的形成中一般使用含有高分子化合物的膜。

此处，在高密度集成电路、电脑芯片和电脑硬盘等的制造中产生金属污染时，常常导致缺陷的增加和产量损失，成为引起性能低下的主要原因。

例如，等离子体工艺中，在用于光刻工序的高分子化合物中存在钠和铁等金属杂质(例如金属离子、金属粉体、过渡金属络合物等)时，等离子体剥离时可能会产生金属污染。

由于光刻技术等精细加工技术的发展，电子设备变得更为精巧，这些各种问题，变得难以完全解决。常常观察到由于非常低含量的金属杂质的存在，半导体设备的性能和稳定性降低。其主要原因，可确认特别是在于用于光刻工序的高分子化合物中含有的钠等轻金属、或铁等重金属。进一步地，也很清楚高分子化合物中的不足100ppb的金属杂质的浓度，对这类电子设备的性能和稳定性带来恶劣影响。

以往，高分子化合物中的金属杂质浓度是通过选择满足严格的杂质浓度规格的原料、或进行彻底的流程管理以使高分子化合物的制造阶段中不混入金属杂质来管理的。但是，伴随着金属杂质浓度的严格规范化，需要通过彻底的管理金属杂质的混入的方法进行高分子化合物的制造。

作为降低高分子化合物中的金属杂质的方法，被提出的有使高分子化合物溶液通过不含强酸性离子交换基、且含有产生ZETA电位(ζ电位)的电荷控制剂的过滤器的方法(专利文献1)。

此外，提出有将使高分子化合物溶液与阳离子交换树脂接触的工序(T1)、使高分子化合物溶液与阳离子交换树脂和阴离子交换树脂的混合树脂接触的工序(T2)、使高分子化合物溶液通过含有带正ZETA电位的物质的过滤器的工序(T3)组合实施的方法(专利文献2)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特表2010-189563号公报

专利文献1：日本专利特开2010-209338号公报

发明内容

发明要解决的课题

在酸催化剂或碱催化剂的存在下将单体聚合得到高分子化合物时，在得到的高分子化合物中，在金属杂质之外，酸催化剂或碱催化剂会变为杂质残存。该酸催化剂或碱催化剂杂质也会与金属杂质同样地影响半导体设备的性能和稳定性。