[发明专利]用于提高耐腐蚀性的方法和在电连接器中的应用

权利要求书

1.一种制造导电体(100)的方法，所述方法包括：

提供(200)基底层(102)；

在所述基底层上沉积(202)石墨烯层(106)；以及

在所述石墨烯层的缺陷(110)上选择性地沉积边界覆盖物以抑制所述基底层在所述缺陷处的腐蚀。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述边界覆盖物(108)包含仅在所述缺陷处沉积的纳米尺寸晶体。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述选择性地沉积(204)边界覆盖物(109)包括：在所述基底层(102)的在所述缺陷(110)处的暴露部分上电沉积边界覆盖物。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述选择性地沉积(204)边界覆盖物(108)包括：使边界覆盖物材料与所述基底层(102)的在所述缺陷(110)处的暴露部分反应，以仅在所述缺陷处沉积所述边界覆盖物。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述选择性地沉积(204)边界覆盖物(108)包括：利用使贵金属的纳米尺寸晶体与在所述缺陷(110)处暴露的所述基底层(102)反应并且不使所述贵金属的纳米尺寸晶体与所述石墨烯层(106)反应的工艺，选择性地沉积所述贵金属的纳米尺寸晶体的边界覆盖物。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述选择性地沉积(204)边界覆盖物(108)包括：在所述缺陷110处的选定位置的原子层沉积工艺。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述选择性地沉积(204)边界覆盖物(108)包括：在所述缺陷(110)处的选定位置的自组装单体工艺。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述选择性地沉积(204)边界覆盖物(108)包括：提供与所述基底层(102)和边界覆盖物材料反应并且不与所述石墨烯层(106)反应的前体，以在所述基底层暴露的所述缺陷的位置处选择性地沉积所述边界覆盖物材料。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述选择性地沉积(204)边界覆盖物(108)包括：用边界覆盖物材料填充所述缺陷(110)，使得所述边界覆盖物材料直接沉积在所述基底层(102)上的所述石墨烯层(106)中。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述在基底层(102)上沉积(202)石墨烯层(106)包括在石墨烯层的缺陷(110)之间具有无缺陷区域(120)的石墨烯层的沉积，所述选择性地沉积边界覆盖物包括：在所述无缺陷区域基本上没有边界覆盖物的情况下，在所述缺陷上选择性地沉积(204)边界覆盖物(108)。