[发明专利]光学材料用永久膜的制造方法、利用所述方法制作的硬化膜、使用所述硬化膜的有机EL显示装置及液晶显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种光学材料用永久膜的制造方法、利用所述方法制作的硬化膜、使用所述硬化膜的有机电致发光(Electroluminescence，EL)显示装置及液晶显示装置。

背景技术

在有机EL显示装置或液晶显示装置等中，就提高亮度、降低消耗电力等观点而言，设有层间绝缘膜。形成所述层间绝缘膜时，广泛使用感光性树脂组合物，其原因在于：用以获得必要图案形状的步骤数少，而且可获得充分的平坦性等。

对于如上所述的使用感光性树脂组合物进行图案形成所得的层间绝缘膜，要求其相对介电常数(relative permittivity)低。另外，近年来，为了以良好的生产性来制造有机EL显示装置或液晶显示装置，要求感光性树脂组合物的高感度化。作为可应对此种需求(needs)的材料，提出有在可形成相对介电常数低的层间绝缘膜的主粘合剂中导入有(氟化)烃基的材料(参照专利文献1)。另外，作为高感度的感光性树脂组合物，例如提出有将具有缩醛(acetal)结构或缩酮(ketal)结构的粘合剂或特定的碱可溶性树脂与醌二叠氮化合物组合而成的树脂组合物(参照专利文献2、专利文献3)。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本专利特开平10-026829号公报

[专利文献2]日本专利特开2011-221494号公报

[专利文献3]日本专利特开2011-138116号公报

[专利文献4]日本专利特开2000-031001号公报

发明内容

发明要解决的问题

再者，在半导体元件而非如上所述的光学产品的制造中，伴随着其配线等的微细化而提出了各种加工法。最近，正在开发以在微细化的基础上进一步优化品质为目的的技术。其中，关于光刻(photo lithography)，可列举利用半色调掩模的技术作为最近实现了实用化者。

图3为用以说明使用半色调掩模的曝光的原理的说明图。如图3所示，在典型的半色调掩模30中，相对于光透射性的透明基材32，设有将一部分的透射光遮蔽的移相部(相位变更膜)31。对所述相位变更膜31赋予使所照射的光L3的相位反转的性质。此处，若假定相位变更膜31为完全遮光性，则光L3大致以图3中的曲线34的曝光强度对被加工基板照射光。此处，曝光强度曲线34并非矩形而成为正弦曲线(sine curve)。其原因在于：透过开口部s的光并非完全的直线光，而是以相应的宽幅扩散，在亮暗的边界产生模糊。另一方面，若尝试仅取出透过相位变更膜31的光的成分，则可如曝光强度曲线35般来表示。辅助线k表示光的相位上下反转。经分解成所述2个成分的光(曝光强度曲线34、曝光强度曲线35)由于处于相反相位，故在照射位置一致的区域中所述光的强度被消除。结果，可进行在亮暗的边界具有更狭窄(sharp)的曝光强度曲线33的分布的曝光。由此得知，根据半色调掩模，可对感光材料进行与开口部s更一致的并无亮暗模糊的曝光。根据此种作用原理，为了提高更微细的电路配线的品质，而将半色调掩模应用于其感光材料的曝光(例如参照上述专利文献4)。

己研究了将利用所述半色调掩模的曝光技术应用于上述光学材料中的层间绝缘膜的形成。此处所应用的感光性树脂与在制造过程中去除的半导体制造的抗蚀剂不同，要求其形成永久膜。即，必须在对感光性树脂进行曝光后，不因蚀刻而被去除，而是直接残留于器件的内部，对应于设备的寿命而长期维持其绝缘性等。因此，在简单地运用适于半导体制造中的半色调掩模的感光性树脂的情况下，难以称之为可满足上述要求。另一方面，即便为形成层间绝缘膜(永久膜)的感光性树脂，也未知如上述专利文献1～专利文献3般的通常的曝光技术中应用的技术是否直接在利用半色调掩模的曝光处理中显示出良好的性能。

本发明的目的在于提供一种光学材料用永久膜的制造方法，其在利用上述半色调掩模的曝光中发挥优异的感光特性，可适宜地形成适于有机EL显示装置或液晶显示装置的层间绝缘膜(永久膜)。

解决问题的技术手段

本发明的上述问题是通过以下手段来解决。

[1]一种光学材料用永久膜的制造方法，其对感光性树脂组合物进行曝光并将曝光部去除，使其剩余部分硬化而制成永久膜，并且

上述感光性树脂组合物含有(A)特定交联性聚合物、(B)1，2-醌二叠氮化合物及(C)溶剂，

所述特定交联性聚合物(A)为