[发明专利]含氮双环式芳香族杂环化合物

权利要求书

1.式(I)的化合物或其盐，

式中，

X为CH或N；

Y为CH、C-卤素或N；

W为-O-或-S(O)_n-；

L¹为键、-低级亚烷基-、-O-低级亚烷基-、-NH-低级亚烷基-或-C(O)-低级亚烷基-；

R¹为：i)可以被选自由卤素、-OH、-O-低级烷基、-NH₂、-NH-(低级烷基)、-N(低级烷基)₂、-C(O)-NH₂、-C(O)-NH-低级烷基、-C(O)-N(低级烷基)₂、可被-C(O)-NH-取代的非芳香族杂环、可被-C(O)-N(低级烷基)-取代的非芳香族杂环、可被取代的非芳香族杂环以及可被-C(O)-取代的非芳香族杂环构成的组中的1种以上的取代基取代的低级烷基，

ii)可被取代的非芳香族杂环，或

iii)H；

R²为可被卤素取代的低级烷基、卤素或H；

R³为可被卤素取代的低级烷基、卤素或-CN；

R⁴彼此相同或不同，为可被卤素取代的低级烷基、卤素、-OH、-CN或H；

R⁵为可被选自由-OH、卤素、-NH₂、-NH-(低级烷基)及-N(低级烷基)₂构成的组中的取代基取代的低级烷基、-O-(可被卤素取代的低级烷基)、可被取代的C_3-8环烷基、可被取代的芳香族杂环或可被取代的非芳香族杂环；以及

n彼此相同或不同，为0至2的整数。

2.根据权利要求1所述的化合物或其盐，其中，

X为N；

R¹为可被选自由卤素、-OH、-O-低级烷基以及非芳香族杂环构成的组中的1种以上的取代基取代的低级烷基，在此，非芳香族杂环可以被低级烷基取代；

R⁵为可以被选自D2组中的取代基取代的非芳香族杂环，在此，D2组为

(1)卤素；

(2)可以被低级烷基取代的环烷基；

(3)可以被低级烷基取代的芳香族杂环；

(4)可以被低级烷基取代的非芳香族杂环；

(5)-OH、-CN或-NO₂；

(6)-C(O)-N(R⁰)₂或-C(O)-N(低级烷基)-非芳香族杂环；以及

(7)-C(O)-低级亚烷基-OH；

-C(O)-(可以被选自由可被选自Z²中的1种以上的取代基取代的低级烷基、卤素、-OH、-CN、-O-低级烷基、环烷基以及非芳香族杂环构成的组中的1种以上的取代基取代的非芳香族杂环)；或者

-C(O)-低级亚烷基-(可以被选自由可被选自Z²中的1种以上的取代基取代的低级烷基、卤素、-OH、-CN、-O-低级烷基、环烷基以及非芳香族杂环构成的组中的1种以上的取代基取代的非芳香族杂环)；以及

(8)可以分别被选自由上述(1)～(7)所述的取代基构成的组中的1种以上的取代基取代的低级烷基或-O-低级烷基；

R⁰彼此相同或不同，为H或低级烷基；

Z²为由-OH、-O-低级烷基及卤素构成的组。

3.根据权利要求2所述的化合物或其盐，其中，

W为-O-或-S-；

L¹为-低级亚烷基-、-O-低级亚烷基-、-NH-低级亚烷基-或-C(O)-低级亚烷基-；

R¹为低级烷基，在此，低级烷基可以被四氢呋喃基取代；

R²为H；

R³为卤代低级烷基或-CN；

R⁴为H；

R⁵为可被选自D2组中的取代基取代的含氮杂环烷基。

4.根据权利要求3所述的化合物或其盐，其中，W为-O-。