[发明专利]保护元件

权利要求书

1.一种保护元件，其特征在于，包括：

绝缘基板；

发热体，层叠在上述绝缘基板；

绝缘部件，以至少覆盖上述发热体的方式层叠在上述绝缘基板；

第1和第2电极，层叠在层叠有上述绝缘部件的上述绝缘基板；

发热体引出电极，以与上述发热体重叠的方式层叠在上述绝缘部件上，并在上述第1和第2电极之间的电流路径上与该发热体电连接；以及

可熔导体，从上述发热体引出电极层叠到上述第1和第2电极，通过加热而熔断该第1电极与该第2电极之间的电流路径，

上述可熔导体由至少包含高熔点金属层和低熔点金属层的层叠体构成，

上述低熔点金属层因上述发热体产生的热而熔化，从而浸蚀高熔点金属层，并且被吸引到上述低熔点金属的湿润性高的上述第1和第2电极以及上述发热体引出电极侧而熔断。

2.根据权利要求1所述的保护元件，其特征在于，上述低熔点金属层由无铅焊锡构成，上述高熔点金属层由Ag或者Cu或以Ag或者Cu为主成分的金属构成。

3.根据权利要求1～2中任一项所述的保护元件，其特征在于，在与上述第1和第2电极以及上述发热体引出电极连接的位置中，上述可熔导体以低熔点金属连接。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的保护元件，其特征在于，上述可熔导体是内层为高熔点金属层、外层为低熔点金属层的包覆结构。

5.根据权利要求4所述的保护元件，其特征在于，上述低熔点金属层以至少贯通一部分的上述高熔点金属层的方式形成。

6.根据权利要求1～3中任一项所述的保护元件，其特征在于，上述可熔导体是内层为低熔点金属层、外层为高熔点金属层的包覆结构。

7.根据权利要求1～3中任一项所述的保护元件，其特征在于，上述可熔导体是上层为高熔点金属层、下层为低熔点金属层的2层结构。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的保护元件，其特征在于，在上述第1和第2电极以及上述发热体引出电极的表面，实施有Ni/Au镀层、Ni/Pd镀层或Ni/Pd/Au镀层的任一种镀层处理。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的保护元件，其特征在于，在上述发热体与上述绝缘基板之间设有绝缘部件层。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的保护元件，其特征在于，上述低熔点金属层的体积大于上述高熔点金属层的体积。

11.根据权利要求1所述的保护元件，其中，上述可熔导体是内层为低熔点金属层、外层为高熔点金属层的包覆结构，成为内层的上述低熔点金属层的整个面被上述高熔点金属层包覆。

12.根据权利要求1或权利要求11所述的保护元件，其中，上述可熔导体是内层为低熔点金属层、外层为高熔点金属层的包覆结构，在上述第1和第2电极上经由导电性膏连接。

13.根据权利要求1或权利要求11所述的保护元件，其中，上述可熔导体是内层为低熔点金属层、外层为高熔点金属层的包覆结构，在上述第1和第2电极上通过焊接连接。

14.根据权利要求1或权利要求11所述的保护元件，其中，上述可熔导体是内层为低熔点金属层、外层为高熔点金属层的包覆结构，在成为内层的低熔点金属层的表面包覆有上述高熔点金属层，在该高熔点金属层的表面包覆有第2低熔点金属层。

15.根据权利要求1或权利要求11所述的保护元件，其中，上述可熔导体是内层为低熔点金属层、外层为高熔点金属层的包覆结构，上述低熔点金属层与上述高熔点金属层的层厚比为2.1：1～100：1。