[发明专利]排气阵列及制造方法

权利要求书

1.一种排气阵列，所述排气阵列包括：

a.包括多孔PTFE基底的多个排气区域，以及

b.包括具有多个穿孔的基质材料的无孔基底材料，其中，基底材料填充多孔PTFE基底的孔，以形成无孔区域，所述无孔区域与多个排气区域互连。

2.如权利要求1所述的排气阵列，其特征在于，多孔PTFE基底是疏油性的。

3.如权利要求1所述的排气阵列，其特征在于，所述基质材料是绝缘材料。

4.如权利要求1所述的排气阵列，其特征在于，所述基质材料是环氧树脂。

5.如权利要求1所述的排气阵列，其特征在于，所述基质材料是聚酰亚胺。

6.如权利要求1所述的排气阵列，其特征在于，所述排气阵列的厚度小于200微米。

7.如权利要求1所述的排气阵列，其特征在于，还包括附连层。

8.一种制造用于容器的排气装置的方法，所述容器形成内部空间和环境空间，并具有介于所述内部空间和所述环境空间之间的孔，所述排气装置适于放置在所述孔上，所述方法包括：

a.提供多孔PTFE基底，

b.提供具有多个穿孔的基质材料，

c.将所述多孔PTFE基底和所述基质材料组合，以使所述基质材料填充邻近的多孔PTFE基底，从而形成具有多孔PTFE的区域和填充的PTFE基底的区域的复合物，以及

d.将所述复合物分为多个排气装置，每个排气装置包括多孔PTFE基底的至少一个区域。

9.一种制造排气的MEMS封装的方法，所述方法包括：

a.提供具有容器的MEMS封装，所述容器形成内部空间和环境空间，并具有介于内部空间和所述环境空间之间的孔，

b.提供多孔PTFE基底，

c.提供具有多个穿孔的基质材料，

d.将所述多孔PTFE基底和所述基质材料组合，以使所述基质材料填充邻近的多孔PTFE基底，由此，形成具有多孔PTFE的区域和填充的PTFE基底的区域的复合物，

e.将所述复合物分为多个排气装置，每个排气装置包括多孔PTFE基底的至少一个区域，以及

f.将所述排气装置附连在MEMS封装的孔上。

10.一种制造排气阵列的方法，所述方法包括：

a.提供多孔PTFE基底，

b.提供具有多个穿孔的基质材料，以及

c.将所述多孔PTFE基底和所述基质材料组合，以使所述基质材料填充邻近的多孔PTFE基底，由此，形成具有多孔PTFE的区域和填充的PTFE基底的区域的复合物。