[发明专利]SPR传感器元件和SPR传感器无效
| 申请号： | 201380011524.4 | 申请日： | 2013-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN104145183A | 公开（公告）日： | 2014-11-12 |
| 发明（设计）人： | 绀谷友广 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | G01N21/27 | 分类号： | G01N21/27;G01N21/03 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | spr 传感器 元件 | ||
【权利要求书】：
1.一种SPR传感器元件，其包括：
检测单元；和
与所述检测单元邻接的试样载置部，
其中：
所述检测单元包括下包层、形成为使得至少一部分与所述下包层邻接的芯层、覆盖所述芯层的金属层和在所述芯层与所述金属层之间形成的保护层；和
所述保护层由金属氧化物形成。
2.根据权利要求1所述的SPR传感器元件，其中所述保护层的折射率比所述芯层的折射率高。
3.根据权利要求1或2所述的SPR传感器元件，其中所述保护层的折射率是1.40以上。
4.根据权利要求1至3任一项所述的SPR传感器元件，其中所述保护层具有1.80×10-2以下的消光系数。
5.根据权利要求1至4任一项所述的SPR传感器元件，其中所述保护层具有5nm至200nm的厚度。
6.根据权利要求1至5任一项所述的SPR传感器元件，其中所述金属氧化物包括选自氧化钛、氧化钽和氧化铝的至少一种氧化物。
7.根据权利要求1至6任一项所述的SPR传感器元件，其中：
将所述芯层埋在所述下包层中，使得所述芯层的上表面露出；和
形成所述保护层，以致覆盖所述下包层的上表面和所述芯层的上表面各自与所述试样载置部邻接的部分。
8.一种SPR传感器，其包括根据权利要求1至7任一项所述的SPR传感器元件。
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