[发明专利]用于防止NFC签条未授权转移的方法有效

专利信息
申请号: 201380004627.8 申请日: 2013-03-14
公开(公告)号: CN104025129B 公开(公告)日: 2018-04-03
发明(设计)人: I·J·福斯特;A·N·法尔 申请(专利权)人: 艾利丹尼森公司
主分类号: G06K19/077 分类号: G06K19/077
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司11245 代理人: 赵蓉民,张全信
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 防止 nfc 签条 授权 转移 方法
【权利要求书】:

1.使NFC使能的RFID设备与物体配对的方法,其包括:

提供至少一种RFID设备,其具有RFID芯片、天线、电桥和衬底;

将所述至少一种RFID设备与物体关联;

将材料集成进入所述至少一种RFID设备和所述物体中,使得所述材料向所述RFID设备提供期望的共振频率;以及

使位于所述RFID设备附近的一个或多个未授权的通信设备解谐,所述一个或多个未授权的通信设备不是被设计用于负载的共振频率以补偿位于所述至少一种RFID设备中的所述材料。

2.根据权利要求1所述的方法,其中所述天线是线圈天线。

3.根据权利要求1所述的方法,其中所述RFID设备放置于海报上。

4.根据权利要求3所述的方法,其中所述海报具有触摸点区域。

5.根据权利要求4所述的方法,其中所述触摸点使置于所述RFID设备附近的任何所述未授权的通信设备的使用解谐。

6.根据权利要求1所述的方法,其中所述衬底包括介电材料、导磁材料、共振电感电路和传导区的至少一种。

7.用于阻挡未授权的射频通信的系统,其包括:

NFC使能的RFID设备;

所述RFID设备与其关联的物体;和

由所述RFID设备和所述物体形成的衬底,其中所述衬底包括高介电材料、高磁导率材料、共振电感电路和传导区的至少一种,其中所述材料向所述RFID设备提供期望的共振频率,并且位于所述RFID设备附近的一个或多个未授权的通信设备不是被设计用于负载的共振频率以补偿位于所述RFID设备中的所述材料。

8.根据权利要求7所述的系统,其中所述设备具有两英寸或更小的询问范围。

9.根据权利要求7所述的系统,其中所述设备具有接近操作频率的共振加载频率。

10.NFC使能的RFID设备,其包括:

由负载补偿器形成的衬底,其中包括在所述衬底中的材料向所述RFID设备提供期望的共振频率,并且位于所述RFID设备附近的一个或多个未授权的通信设备不是被设计用于负载的共振频率以补偿位于所述RFID设备中的所述材料;

耦合至所述衬底的RFID芯片;和

在所述衬底上形成的天线。

11.根据权利要求10所述的设备,其中所述衬底包括铁氧体材料。

12.根据权利要求10所述的设备,其中所述设备结合传导区作为所述负载补偿器。

13.根据权利要求10所述的设备,其中所述天线是线圈天线。

14.根据权利要求10所述的设备,其中所述设备的询问范围是2英寸。

15.根据权利要求10所述的设备,其中所述衬底是介电衬底。

16.根据权利要求10所述的设备,其中所述设备放置于海报上。

17.根据权利要求10所述的设备,其中所述设备进一步包括电桥。

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