[实用新型]麦克风有效

专利信息
申请号: 201320881507.3 申请日: 2013-12-30
公开(公告)号: CN203708424U 公开(公告)日: 2014-07-09
发明(设计)人: 王凯;吴志江 申请(专利权)人: 瑞声声学科技(深圳)有限公司
主分类号: H04R1/08 分类号: H04R1/08;H04R3/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518057 广东省深圳市南山区高*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 麦克风
【说明书】:

【技术领域】

实用新型涉及一种麦克风,尤其涉及一种微电机系统麦克风。

【背景技术】

随着无线通讯的发展,全球移动电话用户越来越多,用户对移动电话的要求已不仅满足于通话,而且要能够提供高质量的通话效果,尤其是目前移动多媒体技术的发展,移动电话的通话质量更显重要,移动电话的麦克风作为移动电话的语音拾取装置,其设计好坏直接影响通话质量。

而目前应用较多且性能较好的麦克风是微电机系统麦克风(Micro-Electro-Mechanical-System Microphone,简称MEMS),与本实用新型相关的麦克风其包括基板、与基板盖接形成收容腔的外壳以及置于收容腔中的ASIC芯片和MEMS芯片,所述ASIC芯片与所述MEMS芯片电连接,所述基板为平板状结构,所述ASIC芯片和MEMS芯片分别置于所述基板上,这样不利于所述麦克风的微型化的发展。

因此,有必要提供一种新型的麦克风。

【实用新型内容】

本实用新型的目的在于提供一种便于产品微型化的麦克风。

本实用新型的技术方案如下:一种麦克风,其包括基板、与基板盖接形成收容腔的外壳以及置于收容腔中的ASIC芯片和设有背腔的MEMS芯片,所述ASIC芯片与所述MEMS芯片电连接,所述基板设有靠近外壳的上表面和与所述上表面相对的下表面,所述基板设有自上表面向下表面凹陷的凹槽,所述ASIC芯片置于所述凹槽中,所述凹槽的深度大于所述ASIC芯片的高度。

优选的,所述MEMS芯片与所述基板的上表面连接,并且所述MEMS芯片覆盖所述凹槽。

优选的,所述基板设有贯通的第一导通孔,所述MEMS芯片与ASIC芯片通过所述第一导通孔实现电连接。

优选的,所述MEMS芯片通过绑定金线与所述基板实现电连接。

优选的,所述基板设有贯通上表面和下表面的第二导通孔,所述基板的下表面贴设有焊盘,所述绑定金线与所述焊盘通过所述第二导通孔实现电连接。

优选的,所述基板为线路板或陶瓷。

优选的,所述外壳设有连通所述收容腔中的声孔。

本实用新型的有益效果在于:由于所述基板设有容置所述ASIC芯片的凹槽,所述MEMS芯片贴设在基板上并且MEMS芯片的背腔覆盖所述凹槽,由此使得ASIC芯片与MEMS芯片通过堆叠的方式容置在收容腔中,有效缩小了麦克风的整体面积,便于麦克风的微型化。

【附图说明】

图1为本实用新型麦克风的剖视图。

【具体实施方式】

下面结合附图和实施方式对本实用新型作进一步说明。

如图1所示,为本实用新型的麦克风100,该麦克风100包括基板20、与所述基板20盖接形成收容腔11的外壳10以及置于所述收容腔11中的ASIC芯片30和设有背腔41的MEMS芯片40,所述外壳10设有与所述收容腔11连通的声孔12。

所述基板20设有靠近所述外壳10的上表面21和与所述上表面21相对的下表面22,所述基板20设有自上表面21向下表面22凹陷的凹槽200,所述ASIC芯片30置于所述凹槽200中,所述MEMS芯片40与所述基板20的上表面21连接,并且MEMS芯片40的背腔41覆盖所述凹槽200,由此,MEMS芯片40和ASIC芯片30通过堆叠的方式置于收容空间11中,有效缩小了麦克风100的整体面积,利于麦克风100的微型化的发展。另外,凹槽200的深度可以根据需要进行设置,在本实施方式中,所述凹槽200的深度(即槽底到所述基板20上表面21的高度)大于或等于所述ASIC芯片30的高度。

在本实用新型的麦克风中,所述ASIC芯片30是通过锡膏60与所述凹槽200连接的,所述MEMS芯片40也是通过锡膏60与所述基板20连接的,所述基板20还设有贯通的第一导通孔23,所述MEMS芯片40和ASIC芯片30通过第一导通孔23实现电连接。另外,所述MEMS芯片40是通过绑定金线70与所述基板20电连接的,所述基板20设有贯通上表面21和下表面22的第二导通孔24,所述基板20的下表面22贴设有与外界电路连接的焊盘50,由此,所述绑定金线70与所述焊盘50通过所述第二导通孔24实现电连接,从而使得MEMS芯片40与外界电路电连接。

另外,所述外壳10为金属材质,可以达到电磁屏蔽的效果。所述基板20为线路板或者是陶瓷。

以上所述的仅是本实用新型的实施方式,在此应当指出,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型创造构思的前提下,还可以做出改进,但这些均属于本实用新型的保护范围。

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