[实用新型]一种高灵敏度推挽桥式磁传感器

权利要求书

1.一种推挽桥式磁传感器，其特征在于：该传感器包括

位于XY平面内的推臂基片和挽臂基片；

至少一个由一个或多个磁电阻传感元件电连接构成的推臂和至少一个由一个或多个磁电阻传感元件电连接构成的挽臂；

至少两个推臂通量集中器和至少两个挽臂通量集中器；

所述推臂通量集中器和所述挽臂通量集中器的长轴方向均为Y轴方向，短轴方向均为X轴方向；

所述推臂上的磁电阻传感元件位于两个相邻推臂通量集中器之间的间隙处，所述挽臂上的磁电阻传感元件位于两个相邻挽臂通量集中器之间的间隙处；

所述推臂和所述推臂通量集中器沉积在所述推臂基片上，所述挽臂和所述挽臂通量集中器沉积在所述挽臂基片上；

所述推臂和所述挽臂相互电连接以形成电桥；

所述推臂基片上的磁电阻传感元件的磁性钉扎层的磁化方向相同，所述挽臂基片上的磁电阻传感元件的磁性钉扎层的磁化方向相同；所述推臂基片与所述挽臂基片上的磁电阻传感元件的磁性钉扎层的磁化方向相反；

所述推臂和所述挽臂上的磁电阻传感元件的敏感方向均为X轴方向。

2.根据权利要求1所述的推挽桥式磁传感器，其特征在于，每两个相邻所述推臂通量集中器之间的间隙处各自分别最多排布有一列所述磁电阻传感元件。

3.根据权利要求1所述的推挽桥式磁传感器，其特征在于，所述磁电阻传感元件为GMR或者TMR传感元件。

4.根据权利要求1或3所述的推挽桥式磁传感器，其特征在于，对于所述推臂基片和所述挽臂基片，其中一个基片上的所述磁电阻传感元件的钉扎层的磁化方向为X轴正方向，另一个基片上的所述磁电阻传感元件的钉扎层的磁化方向为X轴负方向。

5.根据权利要求4所述的推挽桥式磁传感器，其特征在于，在没有外加磁场时，所述磁电阻传感元件可以通过片上永磁体、片上线圈、双交换作用、形状各向异性或者至少两种的结合来偏置磁性自由层的磁化方向，所述片上永磁体和所述片上线圈所产生的交叉偏置场的方向为Y轴方向。

6.根据权利要求1或3所述的推挽桥式磁传感器，其特征在于，所述电桥为半桥、全桥或者准桥。

7.根据权利要求1所述的推挽桥式磁传感器，其特征在于，所述推臂和所述挽臂上的磁电阻传感元件的数量相同并且相互平行。

8.根据权利要求1所述的推挽桥式磁传感器，其特征在于，所述推臂通量集中器和所述挽臂通量集中器的数量相同并且相互平行。

9.根据权利要求1或8所述的推挽桥式磁传感器，其特征在于，所述推臂通量集中器和所述挽臂通量集中器均为细长条形阵列。

10.根据权利要求1所述的推挽桥式磁传感器，其特征在于，所述推臂和所述挽臂上磁电阻传感元件处的磁场的增益系数Asns>1。

11.根据权利要求1所述的推挽桥式磁传感器，其特征在于，所述推臂基片和所述挽臂基片包括了集成电路，或与包括了集成电路的其它基片相连接。

12.根据权利要求11所述的推挽桥式磁传感器，其特征在于，所述集成电路为CMOS、BiCMOS、Bipolar、BCDMOS或者SOI，所述推臂直接沉积在所述推臂基片上的集成电路上面，所述挽臂直接沉积在所述挽臂基片上的集成电路上面。

13.根据权利要求1所述的推挽桥式磁传感器，其特征在于，所述基片为ASIC芯片，其含有偏移电路、增益电路、 校准电路、温度补偿电路和逻辑电路中的任一种或多种应用电路。

14.根据权利要求13所述的推挽桥式磁传感器，其特征在于，所述逻辑电路为数字开关电路或者旋转角度计算电路。