[实用新型]一种音频功率放大电路有效
申请号: | 201320834809.5 | 申请日: | 2013-12-18 |
公开(公告)号: | CN203942500U | 公开(公告)日: | 2014-11-12 |
发明(设计)人: | 刘运德 | 申请(专利权)人: | 刘运德 |
主分类号: | H03F3/20 | 分类号: | H03F3/20 |
代理公司: | 无 | 代理人: | 无 |
地址: | 622150 *** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 音频 功率 放大 电路 | ||
技术领域
本专利涉及一种音频电路,具体为一种音频功率放大电路。
背景技术
G1的屏极电压很高,在电子管刚通电时,灯丝还没达到规定高温时,屏级电压往往在300V以上,在灯丝达到正常温度时也有200V左右。所以,在通电和断电时耦合电容C5、C6因充放电的过程会把这个电压直接加在Q4、Q5的栅极,我们知道,V-MOS管栅极耐压很低(150V以下),如果不采用特殊的保护电路很容易损坏功率输出管Q4、Q5。
传统电路采用的是单只稳压管(信号输入负半周时便会削峰)。
传统电路采用的是由Q1、Q2、Q3组成普通的差分放大电路(R11、R14取100Ω-2KΩ),既稳定直流,又放大交流,不仅放大倍数大,噪声也随之放大,音量大时便能从扬声器中听到明显的流水声和交流哼声。
一般胆石功放电子管往往放大级数在二级以上,线路冗长,线路对音色和音质影响很大。为了避免对后级场效应输出对管栅极的冲击,和场效应管耦合往往采用射随输出方式,V-MOS场效应管的高输入阻抗特性基本无法利用和体现。染色现象极为严重,往往挑选一只耦合电容要花很大功夫,而且非常昂贵,需专业发烧人员调试试听,调试极为繁琐,需反复听音比对。
实用新型内容
本实用新型专利针对以上技术问题提供一种音频功率放大电路目的在于:正反向串联的齐纳二极管(稳压管)高压泄流保护电路和差分放大电路既保证有效信号不致短路,维持场效应管的高阻抗输入特性,又在开机和关机的时候旁路和泄放掉C5、C6的充放电电流,既保证有效信号不致短路,维持场效应管的高阻抗输入特性,又在开机和关机的时候旁路和泄放掉C5、C6的充放电电流,真正实现了电子管屏极直推场效应管,无流水声和交流哼声,制作调试简便,节约了制作生产成本,电子管的胆味得以完美体现,整机静态功耗明显下降,音质好。差分放大电路仅仅作为稳定直流输出0V电路,不放大音频信号,选材除了耐压以外无特殊要求,输出给V-MOS场效应功率管的耦合电阻取值很大,V-MOS场效应功率管的高输入阻抗特性被充分利用。
本实用新型专利的具体技术方案如下:
一种音频功率放大电路,由音源信号端、电子管屏极输出电路、V-MOS场效应管互补对管、正反向串联的齐纳二极管高压泄流保护电路、一级延时电路、差分放大稳定电路、二级延时电路、扬声器保护电路组成,其特征在于:音源信号端接入到电子管屏极输出电路的栅极,经电子管屏极输出电路放大后由电子管屏极输出电路的屏极输出到V-MOS场效应管互补对管,电子管屏极输出电路的输出端和正反向串联的齐纳二极管高压泄流保护电路连接V-MOS场效应管互补对管的输入端,一级延时电路分别连接差分放大稳定输出端直流OV电路、V-MOS场效应管互补对管、二级延时电路和扬声器保护电路,V-MOS场效应管互补对管的输出端分别连接差分放大稳定电路的输入端和喇叭,二级延时电路及扬声器保护电路的输出端连接V-MOS场效应管互补对管的输出端和喇叭。
其中,高压泄流保护电路采用D1与D2,D3与D4两两反向串联的形式;电子管屏极直推场效应管;C5、C6的漏电电流1μF容量在300V的直流电压下漏电电流小于0.5μA;由Q1、Q2、Q3组成差分放大电路,耦合给Q4、Q5的栅极电阻R11、R14取值为220KΩ-470KΩ;R15、R16是Q4、Q5的栅极消振电阻,取值在100Ω-500Ω之间;电子管采用甲类放大电路;差分放大电路仅仅作为稳定直流输出0V电路,不放大音频信号;采用SYYV-75-5视频传输线作为屏蔽线;C5、C6用较厚的铁盒子密封起来妥善接地;电子管供电需和功率输出供电分开。
本专利的优势体现在:差分放大稳定直流输出0V电路和高压泄流保护电路,既保证有效信号不致短路,维持场效应管的高阻抗输入特性,又在开机和关机的时候旁路和泄放掉C5、C6的充放电电流,真正实现了电子管屏极直推场效应管,音频大功率输出放大环节最少。无流水声和交流哼声,制作调试简便,节约了制作生产成本,电路对声音染色的情况极为有限,基本上是原汁原味,由于电子管线性段很长,加之供电电压高,动态范围很大,整个音频段频响极为均匀。所以本电路高音纤细明亮、中音通透、低音厚实丰满,很好的保持了电子管的音色,完全用不着对声音的修饰。
附图说明
图1为本专利的结构示意图。
图2为本专利结构逻辑示意图。
图3为本专利具体结构示意图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于刘运德,未经刘运德许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201320834809.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。