[实用新型]一种调光电路有效
| 申请号： | 201320815315.2 | 申请日： | 2013-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN203722864U | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 胡振飞 | 申请（专利权）人： | 宁波步来特电器有限公司 |
| 主分类号： | H05B37/02 | 分类号： | H05B37/02 |
| 代理公司： | 宁波诚源专利事务所有限公司 33102 | 代理人： | 袁忠卫 |
| 地址： | 315611 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 调光 电路 | ||
1.一种调光电路，包括
单片机控制芯片(U1)；
外围电路，与单片机控制芯片(U1)相连接，为单片机控制芯片(U1)供电；
LED灯，其中一端连接电源；
其特征在于：还包括
开关(SW)，一端连接单片机控制芯片(U1)的一信号输入端子，另一端接地，控制调光模式；
手触点(T1)，通过第一电阻(R1)连接于单片机控制芯片(U1)的一信号输入端子，用于调节LED灯的亮度；
放大电路，连接于单片机控制芯片(U1)的一信号输出端子，用于放大输出信号；
场效应管(Q2)，所述场效应管(Q2)的栅极连接于放大电路的输出端，所述场效应管(Q2)的源极接地，所述场效应管(Q2)的漏极连接LED灯的另一端。
2.根据权利要求1所述的调光电路，其特征在于：所述放大电路包括三极管(Q1)，所述三极管(Q1)的基极通过第二电阻(R2)连接于单片机控制芯片(U1)的PWM信号输出端子，所述三极管(Q1)的发射极连接于单片机控制芯片(U1)的电源端子VCC，所述三极管(Q1)的集电极通过第三电阻(R3)接地。
3.根据权利要求2所述的调光电路，其特征在于：所述三极管(Q1)为PNP三极管。
4.根据权利要求1所述的调光电路，其特征在于：所述场效应管(Q2)为N沟增强型的场效应管MOSFET-N1。
5.根据权利要求1所述的调光电路，其特征在于：所述外围电路包括电源、电容(C1,C2)和地线，所述单片机控制芯片(U1)中的电源端子VCC连接电源，所述单片机控制芯片(U1)中的接地端子GND连接地线，所述电容(C1,C2)连接于单片机控制芯片(U1)中一个端子上，另一端连接地线。
6.根据权利要求1-5任一权利要求所述的调光电路，其特征在于：所述单片机控制芯片(U1)为MC20P68。
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