[实用新型]反应装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种用以在制造聚合物时防止聚合物附着到配管内壁的反应装置。

背景技术

在水溶剂中通过悬浮聚合法使偏二氟乙烯（vinylidene fluoride）聚合物等进行聚合的反应装置包括：聚合槽，使被供给的单体在水溶剂中进行液相聚合；供给配管，用于将单体及助剂等投入聚合槽；排出配管，用于清除气体；以及压力释放配管，在聚合槽内的压力发生异常时释放压力。为了承受1～10MPa的高压，这些配管通常以金属制配管的形态被安设至聚合槽。

在专利文献1中，记载了一种对配管等的主要部位同时赋予微弱的电流及磁场来防结垢的技术。

在专利文献2中，记载了一种用以对系统内容纳的液体进行处理的可变频电磁液体处理方法及系统。

在专利文献3中，记载了一种水垢的去除/防止装置，该装置以去除附着在管内部的水垢或预防附着为目的来对液体进行处理，且包括至少1个螺线管状线圈等，该螺线管状线圈产生出作用于被处理液体的磁场。

在专利文献4中，记载了一种防附着方法及/或去除方法，该方法通过调制电场来对流通于第一流体流路或第二流体流路的流体进行处理，由此防止及/或去除第一流体流路的壁面上的锈及垢物等。该方法中，将阻碍对流体进行调制电场处理的阳离子系药剂去除，然后进行调制电场处理；或，添加促进对流体进行调制电场处理的阴离子系药剂，然后进行调制电场处理。

[背景技术文献]

专利文献1：日本国专利申请公开“特开昭62-103382号公报”，1987年5月13日公开。

专利文献2：日本国专利申请公开“特开平2-43983号公报”，1990年2月14日公开。

专利文献3：日本国专利申请公开“特开平8-42993号公报”，1996年2月16日公开。

专利文献4：日本国专利申请公开“特开2001-259691号公报”，2001年9月25日公开。

实用新型内容

[本实用新型所要解决的问题]

在使偏二氟乙烯聚合物进行聚合的反应装置中，随着偏二氟乙烯单体的聚合而生成的偏二氟乙烯聚合物会附着在供给配管、排出配管或压力释放配管的内壁，而可能导致配管的堵塞。如果发生配管的堵塞，则会发生例如以下的情况：无法排出聚合反应后在排出配管中残留的气体，该气体会影响供给配管中的单体及助剂的投入速度；或，当压力释放配管中发生异常时，无法降低压力。其结果，存在对偏二氟乙烯聚合物的品质、设备安全性造成影响的问题。

这里，为了防止偏二氟乙烯聚合物附着到配管的内壁，或许可以从金属制配管的外表面对该金属制配管进行加热。其理由在于：利用蒸汽伴管（steam trace）等从外表面对配管进行加温来使聚合引发剂失去活性，便能抑制反应，且可实现防止偏二氟乙烯聚合物附着到配管的内壁。然而即便使聚合引发剂失去活性来抑制反应，也有如下问题：一旦偏二氟乙烯聚合物以附着物的形式产生在配管的内壁，就会在该附着物上持续发生偏二氟乙烯聚合物的附着。

作为配管的结垢防止技术，如专利文献1至4中所披露的，目前已知有对配管安设电场赋予装置的技术例，对空调冷却设备、机械冷却设备、锅炉、厨房、卫生间等中的配管施以结垢防止的技术例，但却没有对连接在聚合槽的配管施以结垢防止的技术。

本实用新型是鉴于所述问题而完成的，其主要目的在于防止聚合物附着到各配管的内壁。

[解决问题的技术方案]

为解决所述问题，本实用新型的反应装置的特征在于：

具备：用以赋予电场的电场赋予单元、供单体进行液相聚合的聚合槽、安设在所述聚合槽上的多个配管；多个所述配管包括：将所述单体供给至所述聚合槽的供给配管、将所述聚合槽内的气体从所述聚合槽排出的排出配管、用以防止所述聚合槽内的压力上升的压力释放配管；所述电场赋予单元对多个所述配管的内部赋予所述电场。

[实用新型的效果]

本实用新型发挥防止聚合物附着到各配管内壁的效果。

附图说明

图1是本实用新型的第一实施方式的反应装置的图。

图2是本实用新型的第二实施方式的反应装置的图。

[附图标记说明]

1、11   电场赋予装置（电场赋予单元）

2、12   电缆（电场赋予单元）

3、13   供给配管（配管）

4、14   排出配管（配管）

5、15   压力释放配管（配管）

6、7、16、17   阀门

8、18   安全阀