[实用新型]透过波长3000nm以上的测温滤光片有效

专利信息
申请号: 201320777620.7 申请日: 2013-11-29
公开(公告)号: CN203551815U 公开(公告)日: 2014-04-16
发明(设计)人: 王继平;吕晶;刘晶 申请(专利权)人: 杭州麦乐克电子科技有限公司
主分类号: G02B5/20 分类号: G02B5/20;G01J5/08
代理公司: 杭州斯可睿专利事务所有限公司 33241 代理人: 周豪靖
地址: 311188 浙江省杭州市*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 透过 波长 3000 nm 以上 测温 滤光
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及红外滤光片领域,尤其是一种透过波长3000nm以上的测温滤光片。

背景技术

红外测温仪由光学系统、探测器、信号放大器及信号处理、显示输出等部分组成。光学系统汇聚其视场内的目标红外能量(热量),视场的大小由测温仪的光学零件及其位置确定。红外能量聚焦在探测器上并转变为相应的电信号。该信号经过放大器和信号处理电路,并按照仪器内的算法和目标发射率校正后转变为被测目标的温度值。

红外测温仪的探测器是实现红外能量(热能)转换电信号的关键,由于各种生物所发出来的红外能量(热量)是不同的,所以在日常使用中为了观察某种特定生物的温度值,人们往往会在探测器中添加红外滤光片,通过红外滤光片可以使探测器只接受特定波段的红外能量,保证红外测温仪的测温结果,用于测温和成像。

但是,目前的滤光片,其信噪比低,精度差,不能满足市场发展的需要。

实用新型内容

本实用新型的目的是为了解决上述技术的不足而提供一种测试精度高、能极大提高信噪比的透过波长3000nm以上的测温滤光片。

为了达到上述目的,本实用新型所设计的透过波长3000nm以上的测温滤光片,包括以Si为原材料的基板,以Ge、ZnS为第一镀膜层和以Ge、ZnS为第二镀膜层,且所述基板位于第一镀膜层和第二镀膜层之间,所述第一镀膜层由内向外依次排列包含有:119nm厚度的Ge层、135nm厚度的ZnS层、190nm厚度的Ge层、167nm厚度的ZnS层、184nm厚度的Ge层、213nm厚度的ZnS层、155nm厚度的Ge层、271nm厚度的ZnS层、128nm厚度的Ge层、312nm厚度的ZnS层、123nm厚度的Ge层、294nm厚度的ZnS层、143nm厚度的Ge层、198nm厚度的ZnS层、135nm厚度的Ge层、76nm厚度的ZnS层、128nm厚度的Ge层、100nm厚度的ZnS层、215nm厚度的Ge层、123nm厚度的ZnS层、130nm厚度的Ge层、124nm厚度的ZnS层、80nm厚度的Ge层、342nm厚度的ZnS层、47nm厚度的Ge层、120nm厚度的ZnS层、368nm厚度的Ge层和200nm厚度的ZnS层;所述第二镀膜层由内向外依次排列包含有:65nm厚度的Ge层、135nm厚度的ZnS层、128nm厚度的Ge层、198nm厚度的ZnS层、122nm厚度的Ge层、202nm厚度的ZnS层、97nm厚度的Ge层、135nm厚度的ZnS层、93nm厚度的Ge层、149nm厚度的ZnS层、121nm厚度的Ge层、98nm厚度的ZnS层、88nm厚度的Ge层、96nm厚度的ZnS层、91nm厚度的Ge层、66nm厚度的ZnS层、84nm厚度的Ge层、126nm厚度的ZnS层、63nm厚度的Ge层、110nm厚度的ZnS层、69nm厚度的Ge层、374nm厚度的ZnS层、38nm厚度的Ge层、120nm厚度的ZnS层、344nm厚度的Ge层和200nm厚度的ZnS层。

上述各材料对应的厚度,其允许在公差范围内变化,其变化的范围属于本专利保护的范围,为等同关系。通常厚度的公差在10nm左右。

本实用新型所得到的透过波长3000nm以上的测温滤光片,其在温度测量过程中,可大大的提高信噪比,提高测试精准度。该滤光片50%Cut on=3000±300nm;4000~13000nm、Tavg≥60%,1000~2500nm、Tavg<0.5%。

附图说明

图1是实施例整体结构示意图;

图2是实施例提供的红外光谱透过率实测曲线图。

具体实施方式

下面通过实施例结合附图对本实用新型作进一步的描述。

实施例1:

如图1、图2所示,本实施例描述的透过波长3000nm以上的测温滤光片,包括以Si为原材料的基板2,以Ge、ZnS为第一镀膜层1和以Ge、ZnS为第二镀膜层3,且所述基板2位于第一镀膜层1和第二镀膜层3之间,所述第一镀膜层1由内向外依次排列包含有:119nm厚度的Ge层、135nm厚度的ZnS层、190nm厚度的Ge层、167nm厚度的ZnS层、184nm厚度的Ge层、213nm厚度的ZnS层、155nm厚度的Ge层、271nm厚度的ZnS层、128nm厚度的Ge层、312nm厚度的ZnS层、123nm厚度的Ge层、294nm厚度的ZnS层、143nm厚度的Ge层、198nm厚度的ZnS层、135nm厚度的Ge层、76nm厚度的ZnS层、128nm厚度的Ge层、100nm厚度的ZnS层、215nm厚度的Ge层、123nm厚度的ZnS层、130nm厚度的Ge层、124nm厚度的ZnS层、80nm厚度的Ge层、342nm厚度的ZnS层、47nm厚度的Ge层、120nm厚度的ZnS层、368nm厚度的Ge层和200nm厚度的ZnS层;所述第二镀膜层3由内向外依次排列包含有:65nm厚度的Ge层、135nm厚度的ZnS层、128nm厚度的Ge层、198nm厚度的ZnS层、122nm厚度的Ge层、202nm厚度的ZnS层、97nm厚度的Ge层、135nm厚度的ZnS层、93nm厚度的Ge层、149nm厚度的ZnS层、121nm厚度的Ge层、98nm厚度的ZnS层、88nm厚度的Ge层、96nm厚度的ZnS层、91nm厚度的Ge层、66nm厚度的ZnS层、84nm厚度的Ge层、126nm厚度的ZnS层、63nm厚度的Ge层、110nm厚度的ZnS层、69nm厚度的Ge层、374nm厚度的ZnS层、38nm厚度的Ge层、120nm厚度的ZnS层、344nm厚度的Ge层和200nm厚度的ZnS层。

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