[实用新型]一种三相电抗器及逆变器并网系统

说明书

技术领域

本实用新型涉及电力电子技术领域，尤其涉及一种三相电抗器及逆变器并网系统。

背景技术

近几年来，三相电抗器在电力电子技术领域获得了广泛的应用，图1所示即为一种采用了三相电抗器的逆变器并网系统。

现有技术中的三相电抗器多为如图2所示的三相三磁柱电感，具体包括两个相对的磁轭201、三个具有气隙的磁柱202和三个线圈203，三个磁柱202位于两个相对的磁轭201之间，三个线圈203分别绕在三个磁柱202的外周上。

图2所示的三相电抗器在输入三相完全对称的电流时，三个绕有线圈的磁柱202产生的磁通的矢量和为零。然而在实际应用时，很难保证输入的三相电流完全对称，使得三个绕有线圈的磁柱202产生的磁通的矢量和不为零，存在零序电流，导致三相电抗器的电感量发生变化，甚至无法正常工作，可见图2所示的三相电抗器的可靠性较低。

实用新型内容

本实用新型实施例提供一种三相电抗器及逆变器并网系统，能够解决现有技术中三相电抗器可靠性较低的问题。

本实用新型实施例提供了一种三相电抗器，包括：三相三磁柱电感和至少一个附加磁柱，所述附加磁柱位于所述三相三磁柱电感的两个相对的磁轭之间，与所述三相三磁柱电感的磁柱平行。

本实用新型实施例还提供了一种逆变器并网系统，包括上述三相电抗器。

本实用新型实施例提供的三相电抗器，设有至少一个附加磁柱，当三相电抗器输入的三相电流不完全对称、存在零序电流时，附加磁柱能够为零序电流提供磁通通路，保证了三相电抗器的正常工作，提高了三相电抗器的可靠性。

附图说明

附图用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本实用新型实施例一起用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的限制。在附图中：

图1为现有技术中逆变器并网系统的结构示意图；

图2为现有技术中三相电抗器的结构示意图；

图3为本实用新型实施例1提供的三相电抗器的结构示意图；

图4为本实用新型实施例2提供的三相电抗器的结构示意图；

图5为本实用新型实施例3提供的三相电抗器的结构示意图。

具体实施方式

为了给出能够提高三相电抗器的可靠性的实现方案，本实用新型实施例提供了一种三相电抗器，以下结合说明书附图对本实用新型的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。并且在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

本实用新型实施例提供了一种三相电抗器，包括：三相三磁柱电感和至少一个附加磁柱，附加磁柱位于三相三磁柱电感的两个相对的磁轭之间，与三相三磁柱电感的磁柱平行。

其中，附加磁柱的数量具体可以仅为一个，也可以为两个，或者更多个。

下面结合附图，用具体实施例对本实用新型提供的上述三相电抗器进行详细说明。

实施例1：

图3所示为本实用新型实施例1提供的三相电抗器，包括：三相三磁柱电感31和一个附加磁柱32，该附加磁柱32位于三相三磁柱电感31的两个相对的磁轭之间，与三相三磁柱电感31的磁柱平行。具体的，附加磁柱32位于三相三磁柱电感31的中心磁柱的左侧。

在其它实施例中，附加磁柱32也可以位于三相三磁柱电感31的中心磁柱的右侧，本实用新型对此不作限定。

附加磁柱32的高度及厚度和三相三磁柱电感31的磁柱相同，宽度可以根据三相电抗器中存在的零序电流的大小和附加磁柱32的材料的抗饱和能力确定，具体为：

存在的零序电流越大，附加磁柱32的宽度越宽；存在的零序电流越小，附加磁柱32的宽度越窄；附加磁柱32的材料的抗饱和能力越弱，附加磁柱32的宽度越宽；附加磁柱32的材料的抗饱和能力越强，附加磁柱32的宽度越窄。

较佳的，在确定附加磁柱32的宽度时还可以考虑到材料损耗。

进一步的，附加磁柱32的材料为内部不含有气隙的磁性材料，例如铁氧体、硅钢片等。

在对损耗敏感的应用场合中，例如应用场合中存在高频含量较高的零序电流时，可以采用铁氧体作为附加磁柱32的材料，损耗较小；在对损耗不敏感的应用场合中，可以采用硅钢片作为附加磁柱32的材料，成本较低。

即附加磁柱32的具体材料可以根据应用场合进行确定。